[发明专利]一种含磷化合物改性MoS2纳米片层的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201811567619.5 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109608697A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 周克清;王曙光;吴自力;席巧兰;韩瑄 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（武汉） |
| 主分类号： | C08K9/10 | 分类号： | C08K9/10;C08K9/04;C08K7/00;C08K3/30;C08K3/04;C08K5/3492;C08K13/06;C08L63/00 |
| 代理公司： | 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 | 代理人： | 金慧君 |
| 地址： | 430000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 含磷化合物 改性 制备 纳米片层 悬浮液 插层 洗涤 聚合物纳米复合材料 二硫化钼纳米片 聚合物复合材料 应用 聚合物基体 表面改性 插层处理 工艺步骤 溶剂热法 层间距 插层剂 分散性 阻燃剂 水解 堆积 团聚 | ||
1.一种含磷化合物改性的MoS2纳米片层，其特征在于，所述改性的MoS2纳米片层的组分为MoS2纳米片层和含磷化合物，所述含磷化合物负载在MoS2纳米片层的表面，所述含磷化合物为(4-羧丁基)三苯基膦、三聚氰胺磷酸盐、丁基三苯基溴化膦、十四烷基三甲基溴化磷和十四烷基三丁基溴化磷中的一种或几种。
2.一种含磷化合物改性MoS2纳米片层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将层状二硫化钼和插层剂加入有机溶剂中进行反应，将得到的产物离心、洗涤并干燥，得到插层二硫化钼；
S2、将步骤S1制备的插层二硫化钼超声水解，得到表面带负电的MoS2纳米片层悬浮液；
S3、将含磷化合物溶解在去离子水中形成含磷化合物溶液；
S4、将步骤S3制备的含磷化合物溶液加入到步骤S2制备的MoS2纳米片层悬浮液中，在室温下超声并搅拌；将得到的分散液离心、洗涤、干燥，得到含磷化合物改性的MoS2纳米片层材料。
3.根据权利要求2所述的一种含磷化合物改性MoS2纳米片层的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述插层剂为正丁基锂、氢氢化锂中的至少一种，所述有机溶剂为正己烷、乙二醇中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的一种含磷化合物改性MoS2纳米片层的制备方法，其特征在于，步骤S1中反应为在25～100℃下反应2～6h，所述层状二硫化钼与插层剂的摩尔比为1:3～6。
5.根据权利要求2所述的一种含磷化合物改性MoS2纳米片层的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述含磷化合物为(4-羧丁基)三苯基膦、三聚氰胺磷酸盐、丁基三苯基溴化膦、十四烷基三甲基溴化磷和十四烷基三丁基溴化磷中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的含磷化合物改性的MoS2纳米片层作为阻燃剂添加于聚合物纳米复合材料的应用。
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