[发明专利]有机发光器件及其制作方法有效
| 申请号: | 201811565414.3 | 申请日: | 2018-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN109659348B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
| 发明(设计)人: | 潘凌翔 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种有机发光器件的制作方法,其特征在于,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上在相同的层上形成源极、漏极和辅助阴极;
在所述衬底基板、所述源极、所述漏极和所述辅助阴极上形成第一绝缘层和平坦层;
在所述第一绝缘层和所述平坦层上形成多个第一孔;
在所述平坦层上形成阳极结构,所述阳极结构通过所述第一孔与所述源极及所述辅助阴极接触;以及
在所述平坦层上形成堤层和接触孔,其中所述接触孔露出所述阳极结构的侧壁、所述阳极结构的部分上表面和所述平坦层的部分上表面。
2.如权利要求1所述的有机发光器件的制作方法,其特征在于,所述阳极结构通过一个第一孔与所述辅助阴极接触,所述接触孔露出所述阳极结构的一个侧壁。
3.如权利要求1所述的有机发光器件的制作方法,其特征在于,所述阳极结构通过两个第一孔与所述辅助阴极接触,所述接触孔露出所述阳极结构的两个侧壁,且所述接触孔位于所述阳极结构的所述两个侧壁之间。
4.如权利要求1所述的有机发光器件的制作方法,其特征在于,还包括在所述堤层上形成阴极结构,所述阴极结构通过所述接触孔与所述阳极结构的所述侧壁接触。
5.如权利要求4所述的有机发光器件的制作方法,其特征在于,还包括在所述阳极结构及所述堤层上依序形成电洞注入层、电洞传输层、发光层、电子传输层和所述阴极结构。
6.如权利要求1所述的有机发光器件的制作方法,其特征在于,提供所述衬底基板的步骤包括:
提供基板;
在所述基板上依序形成栅极电极、第二绝缘层、半导体层及第三绝缘层;以及
在所述第三绝缘层上形成多个第二孔,其中所述源极和所述漏极通过所述第二孔接触所述半导体层。
7.一种有机发光器件,其特征在于,包括:
衬底基板;
源极、漏极和辅助阴极设置在所述衬底基板上的相同的层上;
第一绝缘层和平坦层设置在所述衬底基板、所述源极、所述漏极和所述辅助阴极上;
多个第一孔设置在所述第一绝缘层和所述平坦层上;
阳极结构设置在所述平坦层上,其中所述阳极结构通过所述第一孔与所述源极及所述辅助阴极接触;以及
堤层和接触孔设置在所述平坦层上,其中所述接触孔露出所述阳极结构的侧壁、所述阳极结构的部分上表面和所述平坦层的部分上表面。
8.如权利要求7所述的有机发光器件,其特征在于,所述阳极结构通过一个第一孔与所述辅助阴极接触,所述接触孔露出所述阳极结构的一个侧壁。
9.如权利要求7所述的有机发光器件,其特征在于,所述阳极结构通过两个第一孔与所述辅助阴极接触,所述接触孔露出所述阳极结构的两个侧壁,且所述接触孔位于所述阳极结构的所述两个侧壁之间。
10.如权利要求7所述的有机发光器件,其特征在于,还包括设置在所述堤层上的阴极结构,所述阴极结构通过所述接触孔与所述阳极结构的所述侧壁接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





