[发明专利]载板传输控制方法及系统在审
| 申请号: | 201811565386.5 | 申请日: | 2018-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN111352445A | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
| 发明(设计)人: | 王广军 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号: | G05D3/10 | 分类号: | G05D3/10;B65G43/00 |
| 代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人: | 周放;王立民 |
| 地址: | 102209 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 传输 控制 方法 系统 | ||
本发明公开了一种载板传输控制方法及系统,该方法包括:判断载板是否到达装载腔的第一通过口;如果是,则通过伺服系统直接控制所述载板以设定的第一速度前进设定的第一距离,以达到装载腔内的第一位置;在所述第一位置,所述伺服系统直接控制所述载板以设定的第二速度前进设定的第二距离,以达到设定的第二位置;其中,所述第一速度和所述第二速度均为匀速速度,所述第二速度小于所述第一速度;所述第一位置为装载腔内靠近上料腔的一侧;所述第二位置为装载腔内靠近工艺腔的一侧。本发明提供的载板传输控制方法及系统,利用伺服系统直接控制载板运行,与现有技术相比,取消了过多的传感器,在降低设备成本的同时,还提高了传输效率和传输精度。
技术领域
本发明涉及太阳能电池的制造技术,尤其涉及一种载板传输控制方法及系统。
背景技术
MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和Ⅴ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及他们的多元固溶体的薄层单晶材料。
通常MOCVD设备中的晶体生长都是在常压或者低压(10-100Torr)下通氢气的不锈钢反应室中进行,衬底温度为500-1200℃,用高温灯管加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),氢气通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。其中在生产过程中承载石墨基座的载板是由传输系统传输到反应腔内,在产品生成后再从反应腔中传输到外边将晶片进行下一道工序的处理。
MOCVD设备的载板传输是通过如下方式进行的:载板从上料腔传输到装载腔,在装载腔进行加热工艺处理后,传输到工艺腔进行晶片的生成。完成后,载板从工艺腔传输到装载腔进行冷却工艺处理后,再传输到上料腔将晶片取出。
如图1所示,现有技术中,载板在水平传输的方向,装载腔内设置有4个传感器向控制系统提供信号,从上料腔到装载腔方向的阀门依次是第一门阀1′、第一位置传感器2′、第二位置传感器3′和第二门阀4′。其中,第一门阀传感器1′设置在装载腔靠近上料腔门阀很近的位置,第一位置传感器2′位于装载腔靠近上料腔的一侧,第二位置传感器3′位于装载腔靠近工艺腔的一侧,第二门阀传感器4′位于装载腔靠近工艺腔门阀很近的位置。
当载板从上料腔向装载腔传输时,第一门阀1′、第一位置传感器2′和第二位置传感器3′依次传递的信号是第一门阀检测信号、高速开始信号、低速开始信号。当载板从工艺腔向装载腔传输时,第二门阀4′、第二位置传感器3′和第一位置传感器2′依次传递的信号是第二门阀检测信号、高速开始信号和低速开始信号。
上述传感器安装在装载腔的侧面,当载板通过后通过透镜检测到有物体存在。装载腔有预加热到400℃的工序,加热的光线不可避免地透过透镜会使传感器处于高温环境,而传感器外壳都是塑料材质的,影响传感器的功能稳定性和使用寿命。而且传感器的安装位置空间狭窄,且离传输皮带很近造成传感器的安装、维护都很不方便。
发明内容
本发明的目的是提供一种载板传输控制方法及系统,以解决现有技术中传感器功能不稳定、设备维护不便的问题,在降低设备成本的同时,提高传输效率。
本发明提供了一种载板传输控制方法,其中,包括:
判断载板是否到达装载腔的第一通过口;
如果是,则通过伺服系统直接控制所述载板以设定的第一速度前进设定的第一距离,以达到装载腔内的第一位置;
在所述第一位置,所述伺服系统直接控制所述载板以设定的第二速度前进设定的第二距离,以达到设定的第二位置;
其中,所述第一速度和所述第二速度均为匀速速度,所述第二速度小于所述第一速度;
所述第一位置为装载腔内靠近上料腔的一侧;
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