[发明专利]一种用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构及制备方法

说明书

本发明公开了一种用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构，所述结构包括经过裁剪的VCSEL结构外延材料样品，蓝膜和基底，所述VCSEL结构外延样品直立设置，且通过蓝膜粘贴固定在基底上。本发明还提供了一种上述VCSEL结构外延材料结构的制备方法。本发明提供的一种用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构及制备方法，通过对VCSEL结构外延材料的裁剪并采用通过蓝膜将其固定在基底上的形式，解决了VCSEL结构外延材料因厚度较厚无法直接进行光致发光测试的问题。

技术领域

本发明主要涉及激光技术领域，特别是一种用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构及制备方法。

背景技术

一般情况下VCSEL外延片为直径3-6英寸，发光波长通常在840-1100nm的范围内，其中优选的波长是840-860nm，该范围是应用于短距离光纤传输的激光器；或870-900nm，该范围是应用于原子钟激光器；或930-950nm，该范围是应用于三维识别激光器；或1040-1070nm，该范围是应用于气体传感检测器。

目前，在测试VCSEL结构外延片光致发光的过程中，由于VCSEL结构外延片结构复杂导致外延层的活动较厚。因此，利用现有的光致发光技术无法测试到VCSEL结构外延片内部的光致发光现象。

因鉴于此，特提出此发明。

发明内容

本发明的目的是提供一种可以克服较厚的VCSEL结构外延片结构，观察到其光致发光现象的用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构及制备方法。

为了实现上述目的，本发明提供的一种用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构，其特征在于，所述结构包括经过裁剪的VCSEL结构外延材料样品，蓝膜和基底，

所述VCSEL结构外延样品直立设置，且通过蓝膜粘贴固定在基底上。

优选地，所述VCSEL结构外延材料样品的的宽度为1-2cm。

优选地，所述VCSEL结构外延材料为砷化镓、砷化铝镓、砷化铟、砷化铟稼、砷化铝铟、磷化铝铟、磷化铟镓、磷化镓中的任意一种。

优选地，所述基底由半导体材料制成。

优选地，所述基底为方根粗糙度为0-50nm的砷化镓、碳化硅、氮化镓、蓝宝石或硅片中的任意一种。

一种上述述的用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构的制备方法,按照以下步骤进行：

(1)在VESEL结构外沿材料的边沿处按照固定宽度切割下一条外沿材料；

(2)对切割下的外沿材料在长度方向上继续按照固定长度切割，切割下的VCSEL结构外延材料为VCSEL结构外延材料样品；

(3)将VCSEL结构外延材料样品直立设置，下端设置蓝膜；

(4)将VCSEL结构外延材料样品通过蓝膜粘贴在基底上；

(5)对制备的VCSEL结构外延材料结构利用光致发光激光器进行光致发光测试。

优选地，所述步骤(1)中切割宽度为1-2cm。

优选地，步骤(5)中所用的光致发光激光器发出的入射光束的波长为300nm-600nm或900-1100nm。

优选地，步骤(5)中所用的光致发光激光器发出的入射光束与VCSEL结构外延材料结构样品的顶面呈入射角为15度-90度的范围入射。

本发明提供的一种用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构及制备方法，具有如下有益效果：