[发明专利]一种用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构及制备方法有效
| 申请号： | 201811564308.3 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111355118B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张杨;李弋洋 | 申请（专利权）人： | 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 张素红 |
| 地址： | 100076 北京市大兴区西红*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 光致发光 测试 vcsel 结构 外延 材料 制备 方法 | ||
1.一种用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构，其特征在于，所述结构包括经过裁剪的VCSEL结构外延材料样品，蓝膜和基底，
所述经过裁剪的VCSEL结构外延材料样品直立设置，且通过蓝膜粘贴固定在基底上。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述经过裁剪的VCSEL结构外延材料样品的宽度为1-2cm。
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述VCSEL结构外延材料为砷化镓、砷化铝镓、砷化铟、砷化铟稼、砷化铝铟、磷化铝铟、磷化铟镓、磷化镓中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述基底由半导体材料制成。
5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，所述基底为方根粗糙度为0-50nm的砷化镓、碳化硅、氮化镓、蓝宝石或硅片中的任意一种。
6.一种如权利要求1-5任一所述的用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构的制备方法，其特征在于，按照以下步骤进行：
(1)在VCSEL结构外延材料的边沿处按照固定宽度切割下一条外延材料；
(2)对切割下的外延材料在长度方向上继续按照固定长度切割，切割下的VCSEL结构外延材料为VCSEL结构外延材料样品；
(3)将VCSEL结构外延材料样品直立设置，下端设置蓝膜；
(4)将VCSEL结构外延材料样品通过蓝膜粘贴在基底上；
(5)对制备的VCSEL结构外延材料结构利用光致发光激光器进行光致发光测试。
7.根据权利要求6所述的用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中切割宽度为1-2cm。
8.根据权利要求6所述的用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所用的光致发光激光器发出的入射光束的波长为300nm-600nm或900-1100nm。
9.根据权利要求6所述的用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所用的光致发光激光器发出的入射光束与VCSEL结构外延材料结构样品的顶面呈入射角为15度-90度的范围入射。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中科芯电半导体科技（北京）有限公司，未经中科芯电半导体科技（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811564308.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：字体显示处理方法及装置
- 下一篇：相机模组测试治具
