[发明专利]一种用于矫正塑封平板翘曲的压制结构及半导体装置在审
申请号: | 201811562110.1 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN109817551A | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
发明(设计)人: | 姚大平 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 朱静谦 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 塑封 压制结构 半导体装置 压制 矫正 连接结构 翘曲 隔热结构 承载平台 加热升温 结构产生 平板方向 驱动装置 热量传递 施加压力 往返移动 往返运动 承载 垂直 驱动 传递 | ||
本发明涉及塑封平板矫正技术领域,具体涉及一种用于矫正塑封平板翘曲的半导体装置的压制结构及半导体装置。其中压制结构包括:压制平台,沿垂直于塑封平板方向往返移动,用于对设于下方的塑封平板施加压力;连接结构,一端与压制平台连接,另一端与用于驱动压制平台往返运动的驱动装置连接,连接结构与压制平台之间设置有阻止压制平台中的热量从压制平台经连接结构向外传递的隔热结构。其中半导体装置包括压制结构以及设置于压制结构下方用于承载塑封平板的承载平台。本发明的用于矫正塑封平板翘曲的半导体装置的压制结构在对塑封平板加热升温时,采用隔热结构可以阻止热量传递到其他结构中,从而减少或杜绝对其他结构产生影响。
技术领域
本发明涉及集成电路先进封装技术领域,具体涉及一种用于矫正塑封平板翘曲的半导体装置的压制结构及半导体装置。
背景技术
在扇出封装过程中,塑封重构成型的大尺寸平板由于所用到材料之间物理性质差异,在其冷却到室温后往往呈现较大的翘曲。由于后续工艺制程都需要此芯片重构平板的表面极为平整,翘曲的平板就会让后续其他设备无法完成高质量的工艺流程,导致平板上受影响区域的封装芯片出现次品。
经过塑封材料选择、裸芯片厚度优化、塑封工艺调试等诸多实验,可适度减小塑封平板的翘曲,但即使花费较大的工艺成本和制备努力,也无法从根本上解决翘曲问题。因此使用一种专门用于矫正翘曲塑封体的装置很有必要,通常对翘曲的塑封体进行矫正时,需要对塑封体进行加热升温,而在对塑封体加热过程中热量也会传递到其他结构上,例如压力计,从而对这些结构造成不良影响,例如影响这些结构的使用寿命或使用性能等。
发明内容
因此,本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中用于对翘曲塑封体进行矫正的装置在对塑封体加热时,热量易传递到其他结构中,对这些结构造成不良影响,从而影响使用寿命或使用性能等的技术缺陷,从而提供一种在对塑封体加热时,阻止热量传递到其他结构中,从而减少或杜绝对其他结构产生影响的用于矫正塑封平板翘曲的半导体装置的压制结构及半导体装置。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种用于矫正塑封平板翘曲的半导体装置的压制结构,包括:压制平台,沿垂直于塑封平板方向往返移动,用于对设于下方的所述塑封平板施加压力;连接结构,一端与所述压制平台连接,另一端与用于驱动所述压制平台往返运动的驱动装置连接,所述连接结构与所述压制平台之间设置有阻止所述压制平台中的热量从所述压制平台经所述连接结构向外传递的隔热结构。
上述用于矫正塑封平板翘曲的半导体装置的压制结构中,所述隔热结构为设置于所述连接结构与所述压制平台之间的绝热垫。
上述用于矫正塑封平板翘曲的半导体装置的压制结构中,所述连接结构包括与所述绝热垫接触设置的连接板以及设置于所述连接板远离所述绝热垫一端的连接杆。
上述用于矫正塑封平板翘曲的半导体装置的压制结构中,所述绝热垫的横截面积大于所述连接板的横截面积。
上述用于矫正塑封平板翘曲的半导体装置的压制结构中,所述连接结构包括连接杆以及分别与所述连接杆和所述压制平台连接的接头,所述隔热结构为设于所述接头内部的若干孔洞。
上述用于矫正塑封平板翘曲的半导体装置的压制结构中,所述接头采用不锈钢制成。
上述用于矫正塑封平板翘曲的半导体装置的压制结构中,所述压制平台上设置有第一加热装置。
上述用于矫正塑封平板翘曲的半导体装置的压制结构中,还包括与所述连接结构连接的压力计,所述压力计用于测量所述压制平台提供的压力。
本发明还提供一种用于矫正翘曲塑封平板的半导体装置,包括上述的压制结构,还包括设置于所述压制结构下方用于承载所述塑封平板的承载平台。
上述用于矫正翘曲塑封平板的半导体装置中,所述承载平台上设置有第二加热装置。
本发明技术方案,具有如下优点:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811562110.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:热处理方法及热处理装置
- 下一篇:湿法刻蚀槽
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造