[发明专利]一种端口静电释放保护电路在审
| 申请号： | 201811561577.4 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109449156A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 何均;张启帆;张海军;邵派 | 申请（专利权）人： | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 201199 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 选择电路 输入端 静电释放保护电路 输出端 衬底 漏极 电位 负电压信号 寄生二极管 源极均接地 衬底电位 正向导通 低电位 烧毁 输出 保证 | ||
1.一种端口静电释放保护电路，其特征在于，包括：低电压选择电路和NMOS晶体管；其中：
所述低电压选择电路的一个输入端，和，所述NMOS晶体管的漏极，均与待保护端口相连；
所述低电压选择电路的另一个输入端，和，所述NMOS晶体管的源极，均接地；
所述低电压选择电路的输出端与所述NMOS晶体管的栅极和衬底相连；且所述低电压选择电路的输出端输出的信号，为所述低电压选择电路的两个输入端接收的信号中电位较低的信号。
2.根据权利要求1所述的端口静电释放保护电路，其特征在于，所述NMOS晶体管为带DNW隔离的NMOS晶体管。
3.根据权利要求1所述的端口静电释放保护电路，其特征在于，所述低电压选择电路包括：第一开关管和第二开关管；
所述第二开关管的第一端，作为所述低电压选择电路的一个输入端，与所述待保护端口相连；
所述第一开关管的第一端，作为所述低电压选择电路的另一个输入端，接地；
所述第一开关管的控制端与所述待保护端口相连；
所述第二开关管的控制端接地；
所述第一开关管的第二端与所述第二开关管的第二端相连，连接点作为所述低电压选择电路的输出端。
4.根据权利要求3所述的端口静电释放保护电路，其特征在于，所述第一开关管和所述第二开关管均为：控制端电位高于第一端电位时导通的开关管。
5.根据权利要求4所述的端口静电释放保护电路，其特征在于，所述第一开关管和所述第二开关管均为NMOS晶体管。
6.根据权利要求3-5任一所述的端口静电释放保护电路，其特征在于，所述低电压选择电路包括：第一电阻和第二电阻；
所述第一电阻设置于所述第二开关管的控制端及地之间；
所述第二电阻设置于所述第一开关管的控制端及所述待保护端口之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
