[发明专利]测试结构、其制造方法及应用其的方法

权利要求书

1.一种测试结构，该测试结构包括多组半导体器件，其中每一组半导体器件包括：衬底，所述衬底包括多个场氧隔离区，以及由所述多个场氧隔离区隔离出来的第一有源区、第二有源区、第三有源区和第四有源区，所述第一有源区内包括位于所述衬底上的P阱、位于所述P阱上的第一埋氧化硅层以及位于所述第一埋氧化硅层上的第一顶部半导体层，另在所述第一顶部半导体层上还形成有第一栅极，以在所述第一有源区内形成一带P阱的NMOS；所述第二有源区内包括位于所述衬底上的N阱、位于所述N阱上的第二埋氧化硅层以及位于所述第二埋氧化硅层上的第二顶部半导体层，另在所述第二顶部半导体层上还形成有第二栅极，以在所述第二有源区内形成一带N阱的PMOS；第三有源区内包括位于所述衬底上的第三埋氧化硅层以及位于所述第三埋氧化硅层上的第三顶部半导体层，另在所述第三顶部半导体层上还形成有第三栅极，以在所述第三有源区内形成一不带阱的NMOS；所述第四有源区内包括位于所述衬底上的第四埋氧化硅层以及位于所述第四埋氧化硅层上的第四顶部半导体层，另在所述第四顶部半导体层上还形成有第四栅极，以在所述第四有源区内形成一不带阱的PMOS，其中多组半导体器件之间的由所述第一有源区内的所述第一顶部半导体层形成的沟道的沟道长度不同，由所述第二有源区内的所述第二顶部半导体层形成的沟道的沟道长度不同，由所述第三有源区内的所述第三顶部半导体层形成的沟道的沟道长度不同，由所述第四有源区内的所述第四顶部半导体层形成的沟道的沟道长度不同。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，在所述第一有源区内的所述第一栅极与所述第一顶部半导体层之间包括第一栅氧化层，在所述第二有源区内的所述第二栅极与所述第二顶部半导体层之间包括第二栅氧化层，在所述第三有源区内的所述第三栅极与所述第三顶部半导体层之间包括第三栅氧化层，在所述第四有源区内的所述栅极与所述顶部半导体层之间包括第四栅氧化层。

3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一有源区内的所述第一顶部半导体层、所述第二有源区内的所述第二顶部半导体层、所述第三有源区内的所述第三顶部半导体层和所述第四有源区内的所述第四顶部半导体层的材料为硅。

4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一有源区内的所述第一顶部半导体层和所述第三有源区内所述第三顶部半导体层的材料为硅，所述第二有源区内的所述第二顶部半导体层和所述第四有源区内的所述第四顶部半导体层的材料为锗化硅。

5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，在所述多组半导体器件的所述栅极两侧还包括源极和漏极。