[发明专利]溢出电荷漏极图像传感器的实现方法

权利要求书

1.一种溢出电荷漏极图像传感器的实现方法，其特征在于，至少有一个像素单元内的晶体管的漏极，同时作为感光二极管的溢出电荷漏极；并且，N型感光二极管溢出势垒高度是通过离子注入方式形成一个上层P型，中层N型，下层P型，垂直的PNP三极管来调节的；

P型感光二极管溢出势垒高度是通过离子注入方式形成一个上层N型，中层P型，下层N型，垂直的NPN三极管来调节的。

2.根据权利要求1所述的溢出电荷漏极图像传感器的实现方法，其特征在于，所述的垂直PNP或NPN三极管中的两层或三层离子注入可采用一次曝光多次离子注入的方式实现，提高离子注入精度；

也可以在所述一次曝光，部分离子注入完成后，采用Descum工艺对所述曝光形成的光刻胶尺寸进行调节，再进行后续的离子注入，以改变后续离子注入层的尺寸。

3.根据权利要求1所述的溢出电荷漏极图像传感器的实现方法，其特征在于，相邻像素单元的复位晶体管和源跟随晶体管采用镜像对称的方式排布，像素单元内复位晶体管的漏极和源跟随晶体管的漏极同时作为溢出电荷漏极。

4.根据权利要求1所述的溢出电荷漏极图像传感器的实现方法，其特征在于，所述溢出电荷漏极的离子注入深度大于像素单元其他晶体管有源区的离子注入深度。

5.根据权利要求1所述的溢出电荷漏极图像传感器的实现方法，其特征在于，四个感光二极管共用一个溢出电荷漏极。

6.根据权利要求5所述的溢出电荷漏极图像传感器的实现方法，其特征在于，在设计布图中，所述溢出电荷漏极位于转移晶体管的对角位置。

7.根据权利要求1所述的溢出电荷漏极图像传感器的实现方法，其特征在于，对于无选择晶体管，由源跟随晶体管直接输出信号的像素单元结构，源跟随晶体管的漏极、复位晶体管的漏极，在对应行积分电荷时被设置成高电压，都同时起到溢出电荷漏极的作用。

8.根据权利要求7所述的溢出电荷漏极图像传感器的实现方法，其特征在于，复位晶体管控制浮置扩散区电压，使图像传感器在工作时，积分行浮置扩散区电压低于读出行浮置扩散区复位后的电压0.5V以上。

9.根据权利要求1所述的溢出电荷漏极图像传感器的实现方法，其特征在于，采用沟槽隔离的方式，避免溢出电荷漏极与感光二极管在硅的表面穿通。