[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板

说明书

本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法，通过在无机绝缘层和金属层之间设置保护层，可在金属层的干蚀刻过程中对标记区及标记周边区的无机绝缘层的表面进行有效保护，减小无机绝缘层在干蚀刻制程中的表面损伤，从而有效提高后续对位过程中CCD摄像机对对位标记的识别率，提高对位检测精度，避免后续对位异常，且无需调整金属层的干蚀刻参数，间接降低了干蚀刻制程的制程约束条件，避免了对位CCD摄像机的设备改造及调试，节约了生产成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及TFT基板。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)显示器等平板显示装置因具有机身薄、高画质、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本屏幕等。

显示面板是液晶显示器与有机发光二极管显示器的重要组成部分。以液晶显示器的显示面板为例，通常液晶显示面板由彩膜基板(CF，Color Filter)、薄膜晶体管基板(TFT，Thin Film Transistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，LiquidCrystal)及密封框胶(Sealant)组成。其中，薄膜晶体管阵列(Array)基板是目前LCD装置和AMOLED装置中的主要组成部件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向，用于向显示器提供驱动电路，通常设置有数条栅极扫描线和数条数据线，该数条栅极扫描线和数条数据线限定出多个像素单元，每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管的栅极与相应的栅极扫描线相连，当栅极扫描线上的电压达到开启电压时，薄膜晶体管的源极和漏极导通，从而将数据线上的数据电压输入至像素电极，进而控制相应像素区域的显示。

在显示面板制作过程中，TFT大板外围区域制备有很多对位标记(Mark)。以有机电致发光显示器为例，这些Mark主要用于阵列曝光机的对位，蒸镀及封装设备的对位。对位过程一般通过对位电荷耦合元件(Charge-coupled Device，CCD)摄像机进行Mark识别，当Mark图形(Pattern)或膜厚异常时便会影响CCD摄像机识别Mark，导致对位失败。

TFT大板上的对位标记一般是通过干蚀刻方法制作在栅极金属层(GE)或源漏极金属层(SD)的金属对位标记。虽然干蚀刻制程能较好的保证图形精准度，但干蚀刻制程中的等离子轰击也会对Mark产生影响，导致Mark周围无机膜层凹凸不平，影响后续制程CCD摄像机对Mark的识别。如图1所示的一种现有TFT基板的结构示意图，包括衬底基板1以及依次层叠设置于衬底基板1上的有源层2、栅极绝缘层3、栅极金属层4、层间绝缘层5及源漏极电极层6。其中，栅极金属层4包括设置在显示区外围的金属对位标记45，由于栅极金属层4的干蚀刻制程对栅极绝缘层3表面的损伤以及源漏极电极层6的干蚀刻制程对层间绝缘层5表面的损伤，导致金属对位标记45周围的栅极绝缘层3和层间绝缘层5表面凹凸不平，从而影响了后续制程CCD摄像机对金属对位标记45的识别。

针对上述Mark对位异常，常规的解决方案主要为调整干蚀刻制程参数及增加CCD摄像机数。然而，通过调整干蚀刻制程参数的方式并不能完全避免Mark周围无机膜层表面的损伤(loss)，只能在一定程度上降低影响，而且调整制程参数还需考虑其所带来的其他方面的影响，如尺寸(CD)不均等。另外，通过多个CCD摄像机搭配运作虽然能有效解决Mark对位异常，但此方案涉及设备改造，成本较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，可减小无机绝缘层在金属层的干蚀刻制程中的表面损伤，避免后续对位异常。

本发明的目的还在于提供一种TFT基板，可减小无机绝缘层在金属层的干蚀刻制程中的表面损伤，避免后续对位异常。