[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板

权利要求书

1.一种TFT基板的制作方法，所述TFT基板划分出显示区及围绕所述显示区的显示外围区，所述显示外围区划分出标记区及围绕所述标记区的标记周边区；其特征在于，包括如下步骤：

形成无机绝缘层的步骤，在无机绝缘层上形成保护层的步骤，在无机绝缘层及保护层上形成金属层的步骤，对金属层进行干蚀刻而得到金属图案的步骤，去除未被金属图案覆盖的保护层的步骤；

所述保护层用于在对金属层进行干蚀刻过程中对标记区及标记周边区的无机绝缘层的表面进行保护。

2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述保护层包括透明导电保护层，在去除未被金属图案覆盖的保护层的步骤中，由剩余的透明导电保护层形成与金属图案相同图案的透明导电图案。

3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述保护层包括光阻保护层，在形成金属层之前，所述光阻保护层形成在对应预形成金属图案的区域之外，在去除未被金属图案覆盖的保护层的步骤中，所述光阻保护层被完全去除。

4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述TFT基板包括多层所述无机绝缘层及多层所述金属层，该多层无机绝缘层包括栅极绝缘层及层间绝缘层，该多层金属层包括栅极金属层及源漏极金属层；由所述栅极金属层形成的金属图案包括位于显示区的栅极及位于标记区的对位标记；所述保护层包括对栅极绝缘层的表面进行保护的透明导电保护层及对层间绝缘层的表面进行保护的光阻保护层；

该制作方法具体包括如下步骤：

步骤S1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成缓冲层，在所述缓冲层上沉积并图案化形成有源层；

步骤S2、在所述缓冲层及有源层上依次沉积形成栅极绝缘层、透明导电保护层及栅极金属层；

步骤S3、在所述栅极金属层上形成第一光阻层，以所述第一光阻层为遮蔽层，对所述栅极金属层进行干蚀刻，得到包括栅极及对位标记的第一金属图案；

步骤S4、以所述第一光阻层和第一金属图案为遮蔽层，对所述透明导电保护层进行湿蚀刻，去除未被第一金属图案覆盖的透明导电保护层，形成与第一金属图案相同图案的透明导电图案，去除第一光阻层；

步骤S5、在所述第一金属图案及栅极绝缘层上沉积形成层间绝缘层，并利用半色调掩膜板在所述层间绝缘层上形成第二光阻层，所述第二光阻层包括对应于标记区及标记周边区的第一光阻部及对应于显示区的第二光阻部，所述第一光阻部的厚度大于第二光阻部的厚度，以所述第二光阻层为遮蔽层，在所述层间绝缘层及栅极绝缘层上形成对应位于所述有源层两端上方的接触孔；

步骤S6、对所述第二光阻层进行灰化处理以减薄所述第二光阻层的厚度至所述第二光阻部被去除，由剩余的第一光阻部形成光阻保护层；

步骤S7、在所述层间绝缘层及光阻保护层上形成源漏极金属层，在所述源漏极金属层上形成第三光阻层，以所述第三光阻层为遮蔽层，对所述源漏极金属层进行干蚀刻，得到包括源漏极的第二金属图案，所述源漏极通过所述接触孔与所述有源层相连接，去除所述第三光阻层及光阻保护层。