[发明专利]液态金属电路的制备方法有效
| 申请号： | 201811555533.0 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109587966B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 姚又友;刘静 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H05K3/12 | 分类号： | H05K3/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液态 金属 电路 制备 方法 | ||
1.一种液态金属电路的制备方法，其特征在于，包括：
在基底材料上的非液态金属电路区域上制备超疏水层，其中，所述基底材料上包括液态金属电路区域和所述非液态金属电路区域；
在所述基底材料上喷涂或印刷液态金属材料，以在所述基底材料上的所述液态金属电路区域形成液态金属电路；
其中，所述在基底材料上的非液态金属电路区域上制备超疏水层，包括：
在所述液态金属电路区域上制备涂层，所述涂层对液态金属具有粘着性，且超疏水材料无法附着于所述涂层上；
在所述基底材料上喷涂或印刷所述超疏水材料，以在所述非液态金属电路区域上形成所述超疏水层；
其中，所述涂层的材料为PMA胶水；
其中，所述超疏水材料为氟硅烷。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基底材料上的非液态金属电路区域上制备超疏水层，包括：
通过微加工的方式在所述非液态金属电路区域上制备所述超疏水层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述基底材料上的液态金属电路区域形成液态金属电路之后，还包括：
在所述液态金属电路上放置元器件以形成功能电路。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液态金属材料由低熔点镓基或铋基金属构成，熔点范围在-30℃到250℃之间；所述液态金属材料包括镓金属、镓铟合金、镓铟锡合金、镓铟锡锌合金、铋铟锡合金和铋铟锡锌合金中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底材料为塑料、玻璃、石头、木材、纸张、布料、碳纤维或PDMS。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底材料为平面的基底或具有三维结构的基底。
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