[发明专利]触摸屏组件、触摸屏组件的制备方法及触摸装置有效

专利信息
申请号: 201811551105.0 申请日: 2018-12-18
公开(公告)号: CN109656414B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 李武 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 触摸屏 组件 制备 方法 触摸 装置
【权利要求书】:

1.一种触摸屏组件,其特征在于,包括:

从下至上依次层叠设置的第一保护层,导电层以及第二保护层;其中,

所述导电层的上表面设置有粗糙结构,所述导电层的上表面与所述第二保护层接触,所述粗糙结构包括规则排列的多个第一凹槽以及规则排列的多个第二凹槽,所述第二凹槽与所述第一凹槽交错设置,所述粗糙结构用于在入射光透过所述第二保护层照射所述导电层时,使得所述入射光发生漫反射和/或散射。

2.如权利要求1所述的触摸屏组件,其特征在于,所述多个第一凹槽中相邻第一凹槽之间存在间隔,用于承载所述第二保护层。

3.如权利要求2所述的触摸屏组件,其特征在于,所述规则排列的多个第一凹槽的截面形状为锯齿形状。

4.如权利要求3所述的触摸屏组件,其特征在于,形成所述锯齿形状的第一凹槽的截面形状为三角形、矩形或者弧形中的至少一种。

5.如权利要求4所述的触摸屏组件,其特征在于,所述第一凹槽的水平宽度为50纳米~5微米,所述第一凹槽的竖直深度为10纳米~50纳米。

6.如权利要求1所述的触摸屏组件,其特征在于,所述第一保护层的竖直厚度为10纳米~40纳米,所述第二保护层的竖直厚度为10纳米~50纳米,所述导电层的竖直厚度为50纳米~400纳米。

7.一种触摸屏组件的制备方法,其特征在于,包括:

蒸镀形成第一保护层;

在所述第一保护层上蒸镀一导电层,其中,对所述导电层做图案化处理,以使所述导电层上形成粗糙结构;

在所述粗糙结构上蒸镀第二保护层,以形成所述触摸屏组件;

其中,所述粗糙结构包括规则排列的多个第一凹槽以及规则排列的多个第二凹槽,所述第二凹槽与所述第一凹槽交错设置,所述粗糙结构用于在入射光透过所述第二保护层照射所述导电层时,使得所述入射光发生漫反射和/或散射。

8.如权利要求7所述的触摸屏组件的制备方法,其特征在于,所述图案化处理为等离子体溅射处理,蚀刻处理或激光光刻处理中的至少一种。

9.一种触摸装置,其特征在于,包括:壳体以及触摸屏组件,所述触摸屏组件设置在所述壳体上,所述触摸屏组件为如权利要求1至6任一项所述的触摸屏组件。

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