[发明专利]一种纳米硅碳复合材料中硅、碳含量的检测方法在审

专利信息
申请号: 201811542100.1 申请日: 2018-12-17
公开(公告)号: CN109596648A 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 唐爱悦;李晓萍;李祎;方升;刘美;王伟伟;沈雪玲;唐玲 申请(专利权)人: 国联汽车动力电池研究院有限责任公司
主分类号: G01N23/20 分类号: G01N23/20;G01N23/2005
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王文君;王文红
地址: 101407 北京市怀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 碳复合材料 纳米硅 衍射峰 检测 线性相关系数 定量分析 单个样品 分析软件 含量样品 模式测定 强度计算 线性关系 综合偏差 衍射谱 重现性 衍射
【权利要求书】:

1.一种纳米硅碳复合材料中硅、碳含量的检测方法,适用于硅或碳的含量在10%~90%范围内的材料的测定;其特征在于,包括操作:

通过X射线衍射仪定量分析模式测定纳米硅碳复合材料的衍射谱,再通过分析软件计算碳(002)和硅(111)衍射峰的积分强度,最后通过积分强度计算硅、碳的相对含量。

2.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)制样:待测的纳米硅碳复合材料过325目筛,取样质量大于2g,使用0.5mm深粉末样品槽进行制样;

(2)X射线衍射谱测试:X射线衍射仪采用定量分析模式,于室温下采集衍射角范围10°~90°的衍射谱;

(3)硅、碳相对含量的计算:将步骤(2)得到的衍射谱通过分析软件进行拟合,用积分强度计算碳和硅的相对含量。

3.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述X射线衍射仪的测试参数为:X射线源采用铜靶,管电压35~45kV,管电流30~200mA,聚焦光路模式,测角仪半径300mm,探测器为D/tex一维阵列探测器。

4.根据权利要求1~3任一项所述的检测方法,其特征在于,所述X射线衍射仪的测试步长为0.01°,扫描速度:1°/min。

5.根据权利要求2所述的检测方法,其特征在于,步骤(3)中,通过分析软件实现自动寻峰、拟合峰型功能;通过分析软件中数据库的标准卡片,确认衍射峰归属的物相。

6.根据权利要求5所述的检测方法,其特征在于,读取所述分析软件数据库中六方相碳、立方相硅标准卡片,确定衍射峰物相归属。

7.根据权利要求2所述的检测方法,其特征在于,步骤(3)中,通过分析软件背景函数、峰型函数的优化拟合,计算碳(002)和硅(111)衍射峰的积分强度;通过分析软件RIR计算碳和硅的相对含量。

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