[发明专利]激光器芯片的制造方法及激光器芯片

说明书

本发明提供一种激光器芯片的制造方法，包括如下步骤：步骤S1，在外延层上形成第一电镀基底；步骤S2，在所述第一电镀基底上形成有机的图案层，所述图案层定义有镂空区域，使部分所述第一电镀基底从所述镂空区域相对于所述图案层裸露；步骤S3，在所述第一电镀基底上形成第一金属镀层，第一金属镀层完全覆盖所述图案层及未被所述图案层覆盖的第一电镀基底；步骤S4，去除所述图案层，以使得所述第一金属镀层与所述第一电镀基底之间形成中空的通道，所述通道具有贯穿所述第一金属镀层的至少一进口和至少一出口。该方法制成的激光器芯片在保证整体体积可控的基础上还有利于提升激光器芯片的散热效果。本发明还提供一种激光器芯片。

技术领域

本发明涉及光学技术领域，尤其涉及一种激光器芯片的制造方法及应用该制造方法制得的激光器芯片。

背景技术

半导体激光泵浦的全固态激光器是20世纪80年代末期出现的新型激光器。其总体效率至少要比灯泵浦高10倍，由于单位输出的热负荷降低，可获取更高的功率，系统寿命和可靠性大约是闪光灯泵浦系统的100倍，因此，半导体激光器泵浦技术为固体激光器注入了新的生机和活力，使全固态激光器同时具有固体激光器和半导体激光器的双重特点，它的出现和逐渐成熟是固体激光器的一场革命，也是固体激光器的发展方向。并且，它已渗透到各个学科领域，例如：激光信息存储与处理、激光材料加工、激光医学及生物学、激光通讯、激光印刷、激光光谱学、激光化学、激光分离同位素、激光核聚变、激光投影显示、激光检测与计量及军用激光技术等，极大地促进了这些领域的技术进步和前所未有的发展。

市场上侧面泵浦的泵浦源用的半导体线阵激光器，常常需要搭配一散热器，以提高半导体激光器的散热效果，一种现有的激光器及散热结构如图1所示，包括多个激光器芯片以及用于夹持激光器芯片的夹板31、夹板32，其中每个激光器芯片包含热沉基板1及位于沉热基板1上的激光巴条2，另外还包括夹持部33和固定件34。其中夹板31、夹板32为导热夹板，其中夹板32内部设置有用于液体通过的散热微通道，散热微通道用于和外界的液体冷却源连接，实现液体循环散热。目前此结构存在的问题是导热夹板需额外组装，不仅增加了激光器制作成本，还使得激光器的整体体积较大，不利于激光器在微型设备领域的应用。

发明内容

针对以上技术问题，有必要提供一种体积较小且散热效果较好的激光器芯片制造方法及激光器芯片。

本发明一方面提供激光器芯片的制造方法，包括如下步骤：

步骤S1，在外延层上形成第一电镀基底；

步骤S2，在所述第一电镀基底上形成有机的图案层，所述图案层定义有镂空区域，使部分所述第一电镀基底从所述镂空区域相对于所述图案层裸露；

步骤S3，在所述第一电镀基底上形成第一金属镀层，第一金属镀层完全覆盖所述图案层及未被所述图案层覆盖的第一电镀基底；

步骤S4，去除所述图案层，以使得所述第一金属镀层与所述第一电镀基底之间形成中空的通道，所述通道具有贯穿所述第一金属镀层的至少一进口和至少一出口。

本发明另一方面提供激光器芯片，包括：

外延层；

形成在所述外延层上的第一电镀基底；

形成在所述第一电镀基底上的第一金属镀层，所述第一金属镀层与所述第一电镀基底之间形成有中空的通道，所述通道具有贯穿所述第一金属镀层的至少一进口和至少一出口。

本发明实施例提供的激光器芯片制造方法，通过在外延层上做第一金属镀层，并在第一金属镀层中形成图案层再将图案层去除的方式，使得第一金属镀层中形成通道，该通道贯穿第一电金属镀层，则通道作为供循环液体流动的空间，借助循环液体导出激光器芯片产生的热量，该方法制成的激光器芯片在保证整体体积可控的基础上还有利于提升激光器芯片的散热效果。

附图说明