[发明专利]激光器芯片的制造方法及激光器芯片

权利要求书

1.一种激光器芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤S1，在外延层上形成第一电镀基底；

步骤S2，在所述第一电镀基底上形成图案层，所述图案层定义有镂空区域，使部分所述第一电镀基底从所述镂空区域相对于所述图案层裸露；

步骤S3，在所述第一电镀基底上形成第一金属镀层，第一金属镀层完全覆盖所述图案层及未被所述图案层覆盖的第一电镀基底；

步骤S4，去除所述图案层，以使得所述第一金属镀层与所述第一电镀基底之间形成中空的通道，所述通道具有贯穿所述第一金属镀层的至少一进口和至少一出口，所述通道用于供循环液体流动。

2.如权利要求1所述的激光器芯片的制造方法，其特征在于，所述第一电镀基底包括金属的第一种子层和第二金属镀层，所述步骤S1包括：

通过真空镀膜方式在所述外延层上形成所述第一种子层；及

通过电镀方式在所述第一种子层上形成所述第二金属镀层，其中所述图案层直接形成在所述第二金属镀层上，所述通道形成在所述第一金属镀层与所述第二金属镀层之间。

3.如权利要求1所述的激光器芯片的制造方法，其特征在于，所述第一金属镀层包括层叠设置的第一子电镀层、第二种子层及第二子电镀层；所述步骤S3包括：

在所述第一电镀基底上通过电镀方式形成所述第一子电镀层，所述第一子电镀层覆盖第一电镀基底未被图案层覆盖的部分，未覆盖所述图案层；

通过真空镀膜方式形成覆盖所述图案层和所述第一子电镀层的所述第二种子层；以及

通过电镀方式形成覆盖所述第二种子层的所述第二子电镀层。

4.如权利要求1所述的激光器芯片的制造方法，其特征在于，去除所述图案层的方法为浸入剥离液以溶解所述图案层，其中所述通道的形状与所述图案层的形状相同。

5.如权利要求1所述的激光器芯片的制造方法，其特征在于，还包括：

步骤S5，对所述外延层以及形成在所述外延层上的各层进行切割，以形成分隔的多个激光器芯片，每一个所述激光器芯片的通道具有贯穿所述第一金属镀层的至少一进口和至少一出口；

步骤S6，对各个所述激光器芯片上的切割端面镀上膜层，所述膜层可为高反膜或高透膜。

6.一种激光器芯片，由权利要求1-5中任意一项所述的激光器芯片的制造方法制造而成，其特征在于，包括：

外延层；

形成在所述外延层上的第一电镀基底；

形成在所述第一电镀基底上的第一金属镀层，所述第一金属镀层与所述第一电镀基底之间形成有中空的通道，所述通道具有贯穿所述第一金属镀层的至少一进口和至少一出口，所述通道用于供循环液体流动。

7.如权利要求6所述的激光器芯片，其特征在于，所述通道中设置有所述循环液体，所述循环液体从所述进口进入并从所述出口流出，以将所述激光器芯片中的热量导出。

8.如权利要求6所述的激光器芯片，其特征在于，

所述第一电镀基底包括通过真空镀膜方式形成的第一种子层和通过电镀方式形成的第二金属镀层，所述通道形成在所述第一金属镀层与所述第二金属镀层之间。

9.如权利要求6所述的激光器芯片，其特征在于，所述第一金属镀层包括层叠设置的第一子电镀层、金属的第二种子层及第二子电镀层。

10.如权利要求9所述的激光器芯片，其特征在于，所述第一电镀基底包括第二金属镀层，所述第一子电镀层、所述第二子电镀层及所述第二金属镀层为相同材料。