[发明专利]一种在低温真空状态下进行中子照射试验的装置

权利要求书

1.一种在低温真空状态下进行中子照射试验的装置，包括底座，其特征在于，所述底座上安装有旋转基座，旋转基座内设有旋转台，旋转基座外壁装设有带动旋转台转动的电机,旋转台上装设有平移机构，平移机构上装设有磁铁机构，磁铁机构一侧装设有恒低温装置，恒低温装置上具有试件测试端，该试件测试端的外围从内到外依次装设有热辐射屏蔽罩、真空罩，热辐射屏蔽罩与真空罩之间具有间隙。

2.根据权利要求1所述的在低温真空状态下进行中子照射试验的装置，其特征在于，所述底座包括固定板和调节板，调节板通过承载螺栓与固定板锁紧连接，调节板的四个侧边分别设置有调节块，该调节块上设有调节螺栓，该调节螺栓抵顶锁紧着旋转基座。

3.根据权利要求2所述的在低温真空状态下进行中子照射试验的装置，其特征在于，所述固定板上还设有调节螺杆。

4.根据权利要求3所述的在低温真空状态下进行中子照射试验的装置，其特征在于，所述平移机构包括步进电机和平移板，平移板与步进电机的驱动轴连接。

5.根据权利要求4所述的在低温真空状态下进行中子照射试验的装置，其特征在于，所述平移机构共设置两个，其中一个平移机构朝向X方向设置，另外一个平移机构朝向Y方向设置。

6.根据权利要求5所述的在低温真空状态下进行中子照射试验的装置，其特征在于，磁铁机构包括支撑架和设在支撑架内且正对着排布的上磁铁、下磁铁，上磁铁和下磁铁之间预留有供恒低温装置的试件测试端插入的间隙，支撑架底面装在平移机构的平移板上，恒低温装置装在支撑架底面。

7.根据权利要求6所述的在低温真空状态下进行中子照射试验的装置，其特征在于，所述上磁铁和下磁铁均为铷磁铁。

8.根据权利要求7所述的在低温真空状态下进行中子照射试验的装置，其特征在于，所述上磁铁通过调节杆与支撑架连接，调节杆上端穿过支撑架并且装接有调节手轮。

9.根据权利要求8所述的在低温真空状态下进行中子照射试验的装置，其特征在于，所述支撑架底面设有垂直方向转动的电动旋转台，该电动旋转台上装设有支撑板，支撑板上设有水平方向转动的带手轮的手轮旋转座，恒低温装置从手轮旋转座中穿过安装。

10.根据权利要求9所述的在低温真空状态下进行中子照射试验的装置，其特征在于，所述支撑架底面还设有用于阻挡支撑板转动范围的限位块。