[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具有：

半导体衬底；

第1配线层，位于半导体衬底上方，且包含第1电极及第2电极，所述第1电极沿与所述半导体衬底平行的第1方向延伸，所述第2电极沿与所述第1方向交叉且与所述半导体衬底平行的第2方向延伸，并且与所述第1电极的一端相接；

第2配线层，包含第3电极及第4电极，所述第3电极与所述第1电极在所述第2方向上相邻地配置，与所述第1电极不电连接，且沿所述第1方向延伸，所述第4电极沿所述第2方向延伸，且与所述第3电极的一端相接；

第1半导体层，设置在所述第1电极与所述第3电极之间，且沿与所述半导体衬底垂直的第3方向延伸；

第1存储部，设置在所述第1半导体层与所述第1电极之间；

第2存储部，设置在所述第1半导体层与所述第3电极之间；及

第1位线，设置在所述第1半导体层的上方，沿所述第1方向延伸，且与所述第1半导体层电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具有：

第2半导体层，设置在所述第1电极与所述第3电极之间，且沿所述第3方向延伸；

第3存储部，设置在所述第1电极与所述第2半导体层之间；

第4存储部，设置在所述第3电极与所述第3半导体层之间；及

第2位线，设置在所述第1及第2半导体层的上方，与所述第1位线相邻，沿所述第1方向延伸，且与所述第2半导体层电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

所述第1配线层还包含第5电极，所述第5电极与所述第3电极在所述第2方向上相邻地配置，沿所述第1方向延伸，且一端与所述第2电极相接，

所述第2配线层还包含第6电极，所述第6电极与所述第5电极在所述第2方向上相邻地配置，沿所述第1方向延伸，且一端与所述第4电极相接。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其还具有：

多个第3半导体层，设置在所述第3电极与所述第5电极之间，沿所述第3方向延伸，且沿着所述第1方向配置；及

多个第4半导体层，设置在所述第5电极与所述第6电极之间，沿所述第3方向延伸，且沿着所述第1方向配置。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1及第2存储部分别包含第1绝缘层、电荷蓄积层、及第2绝缘层。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具有第3配线层，所述第3配线层设置在所述半导体衬底与所述第1及第2配线层之间，沿所述第1方向延伸，且上表面与所述第1半导体层的底面相接。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1半导体层具有所述第1方向上的直径比所述第2方向上的直径长的圆筒形状。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具有：

第1插塞，设置在所述第1半导体层上；及

第3配线层，设置在所述第1插塞上，与所述第1位线电连接，且沿所述第1方向延伸。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中所述第3配线层的所述第1方向上的长度比所述第1半导体层的所述第1方向上的长度长。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1配线层还包含第1连接部，所述第1连接部沿所述第1方向延伸，端部连接于所述第2电极的端部，且在上表面连接着第1插塞，

所述第2配线层还包含第2连接部，所述第2连接部沿所述第1方向延伸，端部连接于所述第4电极的端部，且在上表面连接着第2插塞。