[发明专利]显示基板的制备方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201811531278.6 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN109599427B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 孙韬;王涛;张子予 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/78;H01L51/52 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 刘伟;曹娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 制备 方法 面板 显示装置 | ||
本发明提供一种显示基板的制备方法、显示面板及显示装置。该方法包括:提供透明基体;在透明基体上制作至少一个显示结构和覆盖显示结构的保护膜层;显示结构的制作包括:在透明基体上形成像素单元阵列和引线金属层,以及在引线金属层远离透明基体的一侧形成激光阻挡层,激光阻挡层在透明基体上的正投影部分覆盖引线金属层。显示结构通过制作激光阻挡层,起到对引线金属层进行表面保护的效果,以防止激光切割损坏下面的金属电极。
技术领域
本发明涉及显示器制作技术领域,尤其是指一种显示基板的制备方法、显示面板及显示装置。
背景技术
目前在显示面板的制备过程中,通常在一个透明基体上制备多个显示面板,在制成多个显示面板的基板的上表面和下表面分别贴附保护膜,之后通过切割工艺将整个制备有多个显示面板的透明基体进行切割,制成多个独立的显示面板。
对于柔性有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器件的制备来说,由于制作OLED和薄膜晶体管阵列的透明基体为柔性基板,通常为塑料材质,而且保护膜通常也为塑料材质,在切割形成多个独立的显示面板时,传统玻璃切割工艺无法实现,通常是通过激光切割工艺执行。
激光切割是通过特定波长的激光源对切割膜层进行烧蚀,以达到切割的目的。柔性OLED显示器件制作过程中的切割工艺包括全切割工艺和半切割工艺,全切割为将切割部位的膜层全部切割掉,达到分离的目的;半切割为将切割部位的膜层或者膜材切割掉一部分,去掉被切割的膜材,以便后续测试。半切割工艺需要调整激光能量以获得合适的切割深度,并且不影响相邻的扇出FANOUT区域和引线金属。然而实际工艺操作中,半切割的接触膜层非常薄,导致半切割工艺窗口非常小,容易损坏下面金属电极,因此增加了激光调试的难度和成本,产品的良率也会受到影响。
发明内容
本发明技术方案的目的是提供一种显示基板的制备方法、显示面板及显示装置,用于解决现有技术显示器件制作过程中采用半切割工艺,切割显示面板上所覆盖膜材的一部分,半切割的接触膜层非常薄,容易损坏下面金属电极,造成激光调试的难度和成本较高,产品的良率也会受到影响的问题。
本发明实施例提供一种显示基板的制备方法,其中,包括:
提供透明基体;
在所述透明基体上制作至少一个显示结构和覆盖所述显示结构的保护膜层;其中所述显示结构的制作包括:在所述透明基体上形成像素单元阵列和引线金属层,以及在所述引线金属层远离所述透明基体的一侧形成激光阻挡层,所述激光阻挡层在所述透明基体上的正投影部分覆盖所述引线金属层。
可选地,所述的显示基板的制备方法,其中,所述方法还包括:
在所述保护膜层上的目标位置对所述保护膜层进行激光切割,使在所述目标位置处,所述保护膜层形成切口;其中所述目标位置在所述激光阻挡层所在平面上的正投影,位于所述激光阻挡层上;
通过所述切口使部分所述保护膜层与所述显示结构相分离,所述引线金属层的至少部分区域露出。
可选地,所述的显示基板的制备方法,其中,通过所述切口使部分所述保护膜层与所述显示结构相分离之后,所述方法还包括:
使全部的所述保护膜层与所述显示结构相分离。
可选地,所述的显示基板的制备方法,其中,在所述透明基体上制作多个显示结构,所述方法还包括:
沿每一所述显示结构的边缘进行激光切割,获得多个所述显示基板。
可选地,所述的显示基板的制备方法,其中,所述在所述保护膜层上的目标位置对所述保护膜层进行激光切割,包括:
输出激光束至所述保护膜层的上表面;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811531278.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的