[发明专利]显示基板的制备方法、显示面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201811531278.6 申请日: 2018-12-14
公开(公告)号: CN109599427B 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 孙韬;王涛;张子予 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L21/78;H01L51/52
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 刘伟;曹娜
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 显示 制备 方法 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:

提供透明基体;

在所述透明基体上制作至少一个显示结构和覆盖所述显示结构的保护膜层;其中所述显示结构的制作包括:在所述透明基体上形成像素单元阵列和引线金属层,以及在所述引线金属层远离所述透明基体的一侧形成激光阻挡层,所述激光阻挡层在所述透明基体上的正投影部分覆盖所述引线金属层;

其中,所述像素单元阵列的布置区域对应为显示面板的显示区,且所述像素单元阵列包括薄膜晶体管和发光层,所述引线金属层对应布置在显示区外围的扇出区;

所述显示结构的制作还包括:在所述像素单元阵列远离所述透明基体的一侧形成封装层,且通过同一次构图工艺形成所述封装层与所述激光阻挡层。

2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述方法还包括:

在所述保护膜层上的目标位置对所述保护膜层进行激光切割,使在所述目标位置处,所述保护膜层形成切口;其中所述目标位置在所述激光阻挡层所在平面上的正投影,位于所述激光阻挡层上;

通过所述切口使部分所述保护膜层与所述显示结构相分离,所述引线金属层的至少部分区域露出。

3.根据权利要求2所述的显示基板的制备方法,其特征在于,通过所述切口使部分所述保护膜层与所述显示结构相分离之后,所述方法还包括:

使全部的所述保护膜层与所述显示结构相分离。

4.根据权利要求1至3任一项所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在所述透明基体上制作多个显示结构,所述方法还包括:

沿每一所述显示结构的边缘进行激光切割,获得多个所述显示基板。

5.根据权利要求2所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述在所述保护膜层上的目标位置对所述保护膜层进行激光切割,包括:

输出激光束至所述保护膜层的上表面;

使所述激光束在所述保护膜层的上表面沿目标轨迹移动,所述目标位置为所述激光束在所述保护膜层上沿目标轨迹移动所经过的位置。

6.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,沿所述引线金属层的第一边缘的方向,所述激光阻挡层的尺寸小于或者等于所述第一边缘的尺寸;沿所述引线金属层的第二边缘的方向,所述激光阻挡层的尺寸为50~200um。

7.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述封装层的制备材料与所述激光阻挡层的制备材料相同。

8.根据权利要求1或7所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在所述引线金属层远离所述透明基体的一侧形成激光阻挡层,包括采用能够吸收激光能量的激光吸收材料制备所述激光阻挡层,或者采用能够反射激光光束的激光反射材料制备所述激光阻挡层。

9.根据权利要求1或7所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在所述引线金属层远离所述透明基体的一侧形成激光阻挡层的步骤中,采用如下材料中的至少一个制备所述激光阻挡层:

非晶硅a-si、氮化硅SiNx、氧化硅SiOx、氮氧化硅SiOxNy、

三氧化铝Al2O3、氧化镁MgO、二氧化钛TiO2和氧化锌ZnO。

10.一种显示面板,包括透明基体和位于所述透明基体上的显示结构,所述显示结构包括像素单元阵列和引线金属层,其特征在于,在所述引线金属层上方设置有激光阻挡层,所述激光阻挡层在所述透明基体上的正投影部分覆盖所述引线金属层;

其中,所述像素单元阵列的布置区域对应为显示面板的显示区,且所述像素单元阵列包括薄膜晶体管和发光层,所述引线金属层对应布置在显示区外围的扇出区;

所述显示结构还包括位于所述像素单元上方的封装层,所述封装层与所述激光阻挡层通过同一次构图工艺形成。

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