[发明专利]OLED装置及其制作方法有效
| 申请号: | 201811529423.7 | 申请日: | 2018-12-14 |
| 公开(公告)号: | CN109659343B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
| 发明(设计)人: | 张兴永 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 装置 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED装置,其特征在于,包括基板、位于所述基板第一表面上的显示区、位于所述显示区两侧的非显示区、以及覆盖所述显示区和非显示区的封装结构;其中,
所述非显示区由可弯折的柔性衬底构成,所述柔性衬底朝向所述基板的第二表面弯曲,所述第二表面与第一表面相对,位于第一表面背面;
所述非显示区与所述显示区相邻的边缘处设置有至少一个第一凹槽结构,所述第一凹槽结构沿着第一方向延伸,所述第一方向为与所述显示区和非显示区的交界线平行的方向,所述非显示区的顶部设置有至少一条平行的第二凹槽结构,所述第二凹槽结构沿着第一方向延伸,所述第一方向为与所述显示区和非显示区的交界线平行的方向,其中,
所述第一凹槽结构沿第二方向的横截面为倒三角形或等腰梯形,所述第二方向与所述基板所在的方向平行且与所述第一方向垂直,当所述第一凹槽结构沿第二方向的横截面为倒三角形时,所述倒三角形的一个顶角位于所述显示区和非显示区的交界线上,当所述第一凹槽结构沿第二方向的横截面为等腰梯形时,所述梯形的对称轴位于所述显示区和非显示区的交界线上;
所述封装结构包括覆盖所述显示区、非显示区和所述第二凹槽结构的无机薄膜,所述非显示区的顶部的表面为锯齿状,使得所述无机薄膜呈褶皱状。
2.根据权利要求1所述的OLED装置,其特征在于,所述第一凹槽结构的深度小于等于所述非显示区厚度的三分之二。
3.根据权利要求1所述的OLED装置,其特征在于,所述无机薄膜的数量为至少一层,其材料为氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的OLED装置,其特征在于,所述非显示区为叠层结构,所述叠层结构至少包括:
有机深孔层,所述有机深孔层包括贯穿所述基板的深孔,并用柔性有机材料填充所述深孔,用于增强非显示区的柔韧性;
位于所述有机深孔层上方的金属层,用于形成具有电连接功能的金属走线;
位于所述金属层上方的平坦化层,用于对所述金属层进行平坦化;以及
位于所述金属层上方的支撑柱,用于支撑形成发光层时使用的掩膜。
5.一种OLED装置的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供基板;
形成位于所述基板第一表面上的显示区;
形成环绕所述显示区的非显示区,所述非显示区由可弯折的柔性衬底构成,所述柔性衬底朝向所述基板的第二表面弯曲,所述第二表面与第一表面相对,位于第一表面背面;其中,所述非显示区与所述显示区相邻的边缘处设置有至少一个第一凹槽结构,所述第一凹槽结构沿着第一方向延伸,所述第一方向为与所述显示区和非显示区的交界线平行的方向,所述非显示区的顶部设置有至少一条平行的第二凹槽结构,所述第二凹槽结构沿着第一方向延伸,所述第一方向为与所述显示区和非显示区的交界线平行的方向;
其中,所述第一凹槽结构沿第二方向的横截面为倒三角形或等腰梯形,所述第二方向与所述基板所在的方向平行且与所述第一方向垂直,当所述第一凹槽结构沿第二方向的横截面为倒三角形时,所述倒三角形的一个顶角位于所述显示区和非显示区的交界线上,当所述第一凹槽结构沿第二方向的横截面为等腰梯形时,所述梯形的对称轴位于所述显示区和非显示区的交界线上;
形成覆盖所述显示区和非显示区的封装结构,所述封装结构包括覆盖所述显示区、非显示区和所述第二凹槽结构的无机薄膜,所述非显示区的顶部的表面为锯齿状,使得所述无机薄膜呈褶皱状。
6.根据权利要求5所述的OLED装置的制作方法,其特征在于,所述第一凹槽结构的深度小于等于所述非显示区厚度的三分之二。
7.根据权利要求5所述的OLED装置的制作方法,其特征在于,所述非显示区为叠层结构,所述叠层结构至少包括:
有机深孔层,所述有机深孔层包括贯穿所述基板的深孔,并用柔性有机材料填充所述深孔,用于增强非显示区的柔韧性;
位于所述有机深孔层上方的金属层,用于形成具有电连接功能的金属走线;
位于所述金属层上方的平坦化层,用于对所述金属层进行平坦化;以及
位于所述金属层上方的支撑柱,用于支撑形成发光层时使用的掩膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





