[发明专利]一种OLED显示装置及其制作方法

说明书

本发明提供一种OLED显示装置及其制作方法，所述OLED显示装置包括显示器件板、设置在所述显示器件板上的开关薄膜晶体管、发光层以及同时与所述开关薄膜晶体管和所述发光层的阳极金属层电性连接的驱动薄膜晶体管；其中，所述开关薄膜晶体管包括第一源漏金属层以及含氧化物半导体材料的第一有源层；所述驱动薄膜晶体管包括第二源漏金属层以及含低温多晶硅材料的第二有源层，所述第二源漏金属层位于所述阳极金属层的上方。在第二源漏金属层和第二有源层之间增加多层绝缘层结构，从而增加第二源漏金属层与第二有源层之间的距离，从而减小寄生电容，提高显示装置的画面质量，同时不需要做像素界定层，减少了工艺流程，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示装置及其制作方法。

背景技术

由于低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管(TFT)具有电子迁移率高、功耗更低等优点，并且电子迁移率高可以将驱动电路集成在玻璃基板，减少驱动IC，实现窄边框和降低成本，所以在高分辨率显示中使用越来越多。

但是随着分辨率越来越高，显示所需的电流逐渐减小，导致非显示区域面积增大。而采用氧化物半导体的TFT可以缩小面积，同时实现高分辨率。因此采用LTPS和氧化物半导体结合的技术受到关注。

现有的混合型TFT存在寄生电容大的问题，对于OLED而言，由于OLED是电流驱动，寄生电容的存在影响了电路信号的稳定性，会降低画面质量。

发明内容

本发明提供一种OLED显示装置，以解决现有的混合型TFT的寄生电容较大的问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

一种OLED显示装置，包括：

显示器件板，其包括基板和设置在所述基板上的多层层结构；

设置在所述显示器件板上的开关薄膜晶体管、发光层以及同时与所述开关薄膜晶体管和所述发光层的阳极金属层电性连接的驱动薄膜晶体管；

其中，所述开关薄膜晶体管包括第一源漏金属层以及含氧化物半导体材料的第一有源层；所述驱动薄膜晶体管包括第二源漏金属层以及含低温多晶硅材料的第二有源层，所述第二源漏金属层位于所述阳极金属层的上方；所述第二源漏金属层与所述阳极金属层之间的层结构上开设有第一过孔，所述第二源漏金属层通过所述第一过孔与所述阳极金属层电性连接。

优选的，所述显示器件板包括：

设置在所述基板上的缓冲层；

设置在所述缓冲层上的第一绝缘层；

设置在所述第一绝缘层上的栅极绝缘层；

设置在所述栅极绝缘层上方的第三绝缘层；

设置在所述第三绝缘层上的平坦层和封装层；

其中，所述第二有源层设置在所述缓冲层上，所述第二源漏金属层位于所述第三绝缘层上，所述驱动薄膜晶体管还包括设置在所述第一绝缘层上的第二栅极。

优选的，所述栅极绝缘层与所述第三绝缘层之间还设置有第二绝缘层。

优选的，所述第一有源层和所述第一源漏金属层均位于所述栅极绝缘层上，并且，所述第二绝缘层覆盖所述第一有源层和所述第一源漏金属层；所述开关薄膜晶体管还包括设置在所述第一绝缘层上的第一栅极，所述第一栅极与所述第二栅极相互独立。

优选的，所述第一栅极为底栅，所述第二栅极为顶栅。

优选的，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层均为包含氮化硅材料或氧化硅材料的一层或多层结构。

本发明还提供一种OLED显示装置的制作方法，包括以下步骤：