[发明专利]一种OLED显示装置及其制作方法有效
申请号: | 201811528739.4 | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN109545836B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 刘杰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示装置 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED显示装置,其特征在于,所述OLED显示装置包括:
显示器件板,其包括基板和设置在所述基板上的多层层结构;
设置在所述显示器件板上的开关薄膜晶体管、发光层以及同时与所述开关薄膜晶体管和所述发光层的阳极金属层电性连接的驱动薄膜晶体管;
其中,所述开关薄膜晶体管包括第一源漏金属层以及含氧化物半导体材料的第一有源层;所述驱动薄膜晶体管包括第二源漏金属层以及含低温多晶硅材料的第二有源层,所述第二源漏金属层位于所述阳极金属层的上方;所述第二源漏金属层与所述阳极金属层之间的层结构上开设有第一过孔,所述第二源漏金属层通过所述第一过孔与所述阳极金属层电性连接;
所述显示器件板包括设置在所述基板上的缓冲层、设置在所述缓冲层上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层上方的第三绝缘层以及设置在所述第三绝缘层上的平坦层和封装层;
其中,所述第二有源层设置在所述缓冲层上,所述第二源漏金属层位于所述第三绝缘层上,所述驱动薄膜晶体管还包括设置在所述第一绝缘层上的第二栅极;所述栅极绝缘层与所述第三绝缘层之间还设置有第二绝缘层;所述第三绝缘层和所述平坦层上设置有像素开孔,所述发光层位于所述像素开孔中;所述第一有源层和所述第一源漏金属层均位于所述栅极绝缘层上,并且,所述第二绝缘层覆盖所述第一有源层和所述第一源漏金属层;所述阳极金属层设置于所述第二绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的OLED显示装置,其特征在于,所述开关薄膜晶体管还包括设置在所述第一绝缘层上的第一栅极,所述第一栅极与所述第二栅极相互独立。
3.根据权利要求2所述的OLED显示装置,其特征在于,所述第一栅极为底栅,所述第二栅极为顶栅。
4.根据权利要求1所述的OLED显示装置,其特征在于,所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层均为包含氮化硅材料或氧化硅材料的一层或多层结构。
5.一种OLED显示装置的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S10、在基板上形成包含低温多晶硅材料的第二有源层;
S20、在所述基板上形成覆盖所述第二有源层的第一绝缘层;
S30、在所述第一绝缘层上形成相互独立的第一栅极和第二栅极;
S40、在所述第一绝缘层上形成覆盖所述第一栅极和所述第二栅极的栅极绝缘层;
S50、在所述栅极绝缘层上形成第一有源层和与所述第一有源层电性连接的第一源漏金属层;
S60、在所述栅极绝缘层的上方形成第三绝缘层和阳极金属层;
S70、在所述第三绝缘层上形成与所述第一源漏金属层和所述阳极金属层电性连接的第二源漏金属层,所述第二源漏金属层与所述第二有源层电性连接;
S80、在所述第三绝缘层上形成平坦层、发光层和封装层;
其中,在所述步骤S50后,并且所述步骤S60前,所述OLED显示装置的制作方法还包括:在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述第一有源层和所述第一源漏金属层的第二绝缘层;所述阳极金属层设置于所述第二绝缘层上;
所述第三绝缘层和所述平坦层上设置有像素开孔,所述发光层位于所述像素开孔中。
6.根据权利要求5所述的OLED显示装置的制作方法,其特征在于,在所述步骤S30中,所述第一栅极和所述第二栅极通过一道制程制成。
7.根据权利要求1所述的OLED显示装置的制作方法,其特征在于,所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层均为包含氮化硅材料或氧化硅材料的一层或多层结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的