[发明专利]风电变流器功率模块的结温检测方法和装置、存储介质有效

专利信息
申请号: 201811526097.4 申请日: 2018-12-13
公开(公告)号: CN109450269B 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 崔安斌;汤明杰 申请(专利权)人: 北京金风科创风电设备有限公司
主分类号: H02M5/458 分类号: H02M5/458;H02J3/38;G01R31/26
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 臧静;吴崇
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 变流器 功率 模块 检测 方法 装置 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种风电变流器功率模块的结温检测方法,其中,包括:

根据功率模块的IGBT的集电极电流和位于所述IGBT的集电极和发射极之间的管压降,得到所述IGBT的瞬时能耗,并根据预定时间段内所述IGBT的瞬时能耗,得到所述IGBT的总平均能耗;

根据所述功率模块的二极管的正向电流和正向压降,得到所述二极管的瞬时能耗,并根据所述预定时间段内所述二极管的瞬时能耗,得到所述二极管的总平均能耗,所述二极管并联于所述IGBT的发射极和集电极之间;

根据所述IGBT的总平均能耗、所述二极管的总平均能耗和冷却介质温度,得到所述IGBT的结温和所述二极管的结温;

所述IGBT的瞬时能耗包括:所述IGBT的通态损耗、所述IGBT的开通损耗和所述IGBT的关断损耗;

所述根据功率模块的IGBT的集电极电流和位于所述IGBT的集电极和发射极之间的管压降,得到所述IGBT的瞬时能耗,包括:

通过对所述IGBT导通时的集电极电流和管压降进行曲线拟合,依据拟合曲线,得到所述IGBT的通态损耗;其中,

对集电极电流Ic和管压降Vce的数学关系进行曲线拟合,得到拟合表达式:

其中,Vce(T,Ic)为导通压降与结温、导通电流之间的关系,由a(t)、b(T)、c(T)、d(T)、e(T)表示;其中,a(T)的展开式为:a1·T2+a2·T+a3,b(T)的展开式为:b1·t2+b2·t+b3,c(t)的展开式为:c1·t2+c2·t+c3,d(t)的展开式为:d1·t2+d2·t+d3,e(t)的展开式为:e1·t2+e2·t+e3;其中,a1、a2、a3,b1、b2、b3,c1、c2、c3,d1、d2、d3,e1、e2、e3可以通过曲线拟合的方式获得;

IGBT的通态损耗pcon_IGBT的表达式为:

pcon_IGBT=Vce(t,Ic)×Ic

通过对所述IGBT开通一次时的集电极电流和管压降进行曲线拟合,依据拟合曲线,得到所述IGBT的开通损耗;

IGBT开通一次的能量损耗Eon与集电极电流Ic的单调非线性关系:

其中,Eon(t,Ic)为IGBT开通一次的能量损耗与结温、导通电流之间的关系,由aon(t)、bon(t)、con(t)、don(t)表示;其中,aon(t)的展开式为:aon1(t)+aon2(t),bon(t)的展开式为:bon1(t)+bon2(t),con(t)的展开式为:con1(t)+con2(t),don(T)的展开式为:don1(t)+don2(T),其中,aon1(T)、aon2(T),bon1(T)、bon2(T),con1(T)、con2(T),don1(T)、don2(t)可以通过曲线拟合的方式获得;

考虑电压Vce的影响,IGBT开通一次能量损耗的表达式为:

Eon=Eon(t,Ic)×Vce/1800;

通过对根据所述IGBT关断一次时的集电极电流和管压降进行曲线拟合,依据拟合曲线,得到所述IGBT的关断损耗;

IGBT关断一次的能量损耗Eoff与集电极电流Ic的单调非线性关系可表达为:

其中,Eoff(t,Ic)为IGBT关断一次的能量损耗与结温、导通电流之间的关系,由aoff(t)、boff(t)、coff(t)表示;其中,aoff(t)的展开式为:aoff1(t)+aoff2(t),boff(t)的展开式为:boff1(t)+boff2(T),coff(T)的展开式为:coff1(T)+coff2(T),其中,aoff1(t)、aoff2(t),boff1(T)、boff2(T),coff1(t)、coff2(t)可以通过曲线拟合的方式获得;

考虑电压Vce的影响,IGBT关断一次的能量损耗的表达式为:

Eoff=Eoff(T,Ic)×Vce/1800。

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