[发明专利]垂直型存储器装置

说明书

本发明提供了一种垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置包括：基底，具有单元阵列区和设置为邻近于所述单元阵列区的连接区；多个栅电极层，堆叠在所述单元阵列区和所述连接区上；多个沟道结构，设置在所述单元阵列区中；多个虚设沟道结构，设置在所述连接区中；以及多个狭缝，在所述单元阵列区中设置在所述多个栅电极层中。所述多个栅电极层在所述连接区中形成台阶结构，所述多个沟道结构穿透所述多个栅电极层，所述多个虚设沟道结构穿透所述多个栅电极层中的至少一个。

本申请要求于2018年2月2日提交的第10-2018-0013479号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及一种垂直型存储器装置。

背景技术

随着技术的进步，电子产品在尺寸减小的同时越来越需要高容量数据处理。因此，需要在这样的电子产品中使用的半导体存储器装置的更高的集成度。为此，正在电子产品中实现垂直型存储器装置，其中，堆叠了具有垂直型晶体管结构而不是传统的平面晶体管结构的存储器单元。

发明内容

发明构思的示例性实施例提供了一种垂直型存储器装置，其中，减小了上端字线与下端字线之间的RC延迟差异。

根据发明构思的示例性实施例，一种垂直型存储器装置包括：基底，具有单元阵列区和设置为邻近于所述单元阵列区的连接区；多个栅电极层，堆叠在所述单元阵列区和所述连接区上；多个沟道结构，设置在所述单元阵列区中；多个虚设沟道结构，设置在所述连接区中；以及多个狭缝，在所述单元阵列区中设置在所述多个栅电极层中。所述多个栅电极层在所述连接区中形成台阶结构，所述多个沟道结构穿透所述多个栅电极层，所述多个虚设沟道结构穿透所述多个栅电极层中的至少一个。

根据发明构思的示例性实施例，一种垂直型存储器装置包括：基底；第一栅电极层，在所述基底上在第一方向上延伸；以及第二栅电极层，在所述基底上在所述第一方向上延伸。所述第二栅电极层设置在所述第一栅电极层上。所述垂直型存储器装置还包括：多个沟道结构，穿透所述第一栅电极层和所述第二栅电极层；第一狭缝，设置在所述第一栅电极层中；以及第二狭缝，设置在所述第二栅电极层中。所述第一狭缝和所述第二狭缝设置在所述多个沟道结构之间，所述第二狭缝的尺寸大于所述第一狭缝的尺寸。

根据发明构思的示例性实施例，一种垂直型存储器装置包括：基底；多个栅电极层，堆叠在所述基底上，并且在所述基底上在第一方向上延伸；多个沟道结构，穿透所述多个栅电极层；以及多个分隔图案，在所述第一方向上延伸。所述多个分隔图案在与所述第一方向基本上垂直的第二方向上彼此间隔开。所述多个栅电极层包括设置在所述多个沟道结构之间的多个狭缝。

根据发明构思的示例性实施例，一种垂直型存储器装置包括：基底，包括单元阵列区和设置为邻近于所述单元阵列区的连接区；多个栅电极层，堆叠在所述单元阵列区和所述连接区上，其中，所述多个栅电极层在所述连接区中形成台阶结构；多个沟道结构，设置在所述单元阵列区中，其中，所述多个沟道结构穿透所述多个栅电极层；以及多个狭缝，在所述单元阵列区中的所述多个沟道结构之间设置在所述多个栅电极层中。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的上述和其它特征将变得更明显，在附图中：

图1是示出根据发明构思的示例性实施例的垂直型存储器装置的示意性构造的图。

图2是示出图1的单元阵列区CAR的概念电路图。

图3是根据发明构思的示例性实施例的垂直型存储器装置的示意性平面图。

图4是图3中的区域A的放大图。

图5和图6是根据发明构思的示例性实施例的垂直型存储器装置的示意性剖视图。