[发明专利]垂直型存储器装置

权利要求书

1.一种垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置包括：

基底，包括单元阵列区和设置为邻近于所述单元阵列区的连接区；

多个栅电极层，堆叠在所述单元阵列区和所述连接区上，其中，所述多个栅电极层在所述连接区中形成台阶结构；

多个沟道结构，设置在所述单元阵列区中，其中，所述多个沟道结构穿透所述多个栅电极层；

多个虚设沟道结构，设置在所述连接区中，其中，所述多个虚设沟道结构穿透所述多个栅电极层中的至少一个；以及

多个狭缝，在所述单元阵列区中设置在所述多个栅电极层中。

2.根据权利要求1所述的垂直型存储器装置，其中，所述多个狭缝包括由形成所述多个栅电极层的导电材料围绕的空的空间。

3.根据权利要求1所述的垂直型存储器装置，其中，所述多个狭缝设置在所述多个沟道结构之间。

4.根据权利要求1所述的垂直型存储器装置，其中，所述多个狭缝以Z字形图案布置。

5.根据权利要求1所述的垂直型存储器装置，其中，所述多个狭缝的尺寸随着所述多个狭缝设置得更靠近所述基底而减小。

6.根据权利要求1所述的垂直型存储器装置，其中，所述多个沟道结构的直径随着所述多个沟道结构设置得更靠近所述基底而减小。

7.根据权利要求1所述的垂直型存储器装置，其中，所述多个沟道结构之间的间隔随着所述多个沟道结构设置得更靠近所述基底而增大。

8.根据权利要求1所述的垂直型存储器装置，其中，所述多个沟道结构中的相邻的沟道结构之间的间隔比所述多个虚设沟道结构中的相邻的虚设沟道结构之间的间隔窄。

9.根据权利要求1所述的垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置还包括：

分隔图案，穿透所述多个栅电极层并在所述基底上在一个方向上延伸，

其中，所述多个狭缝的尺寸随着所述多个狭缝设置得更远离所述分隔图案而增大。

10.根据权利要求1所述的垂直型存储器装置，其中，所述多个狭缝中的每个具有相对的侧表面，所述侧表面具有凹进形状。

11.一种垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置包括：

基底；

第一栅电极层，在所述基底上在第一方向上延伸；

第二栅电极层，在所述基底上在所述第一方向上延伸，其中，所述第二栅电极层设置在所述第一栅电极层上；

多个沟道结构，穿透所述第一栅电极层和所述第二栅电极层；

第一狭缝，设置在所述第一栅电极层中；以及

第二狭缝，设置在所述第二栅电极层中，

其中，所述第一狭缝和所述第二狭缝设置在所述多个沟道结构之间，所述第二狭缝的尺寸大于所述第一狭缝的尺寸。

12.根据权利要求11所述的垂直型存储器装置，其中，所述多个沟道结构之间的间隔随着所述多个沟道结构设置得更靠近所述基底而增大。

13.根据权利要求11所述的垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置还包括：

分隔图案，穿透所述第一栅电极层和所述第二栅电极层，并在所述基底上在所述第一方向上延伸，

其中，所述第一狭缝是彼此间隔开的多个第一狭缝中的一个，所述第二狭缝是彼此间隔开的多个第二狭缝中的一个，

其中，所述多个第一狭缝的尺寸和所述多个第二狭缝的尺寸随着所述多个第一狭缝和所述多个第二狭缝设置得更远离所述分隔图案而增大。

14.根据权利要求13所述的垂直型存储器装置，其中，所述多个第一狭缝和所述多个第二狭缝以Z字形图案布置。