[发明专利]OLED基板及其图案偏移检测方法、装置有效
| 申请号: | 201811519123.0 | 申请日: | 2018-12-12 |
| 公开(公告)号: | CN109767994B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
| 发明(设计)人: | 罗志猛;赵云 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L27/32 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
| 地址: | 516600 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 及其 图案 偏移 检测 方法 装置 | ||
1.一种OLED基板的图案偏移检测方法,其特征在于,所述基板设有显示区和检测区,所述检测区设置于所述显示区以及走线区之外,所述显示区形成第一图案和第二图案,所述方法包括:
获取与所述第一图案对应的第一检测图案和与所述第二图案对应的第二检测图案,所述第一检测图案与所述第二检测图案之间具有预设偏移量;
在所述显示区形成所述第一图案和所述第二图案的同时,在所述检测区形成所述第一检测图案和所述第二检测图案;
获取形成后的所述第一检测图案与所述第二检测图案之间的偏移量;
根据形成后的所述第一检测图案与所述第二检测图案之间的偏移量和所述预设偏移量,获取所述第一图案与所述第二图案之间的偏移量;
所述第一图案与所述第二图案之间的偏移量包括行偏移量和列偏移量,所述第一检测图案包括第一行检测图案和第一列检测图案,所述第二检测图案包括第二行检测图案和第二列检测图案,所述第一行检测图案与所述第二行检测图案用于获取所述行偏移量,所述第一列检测图案与所述第二列检测图案用于获取所述列偏移量;
获取与所述第一图案对应的第一检测图案和与所述第二图案对应的第二检测图案,包括:根据所述第二图案确定所述第二检测图案;
所述根据所述第二图案确定所述第二检测图案,包括:
根据所述第二图案的列图案确定所述行偏移量的行初始检测图案,所述行初始检测图案在列方向上的边界与所述第一行检测图案在列方向上的边界重叠;
将所述行初始检测图案在行方向上的边界向所述第一行检测图案的列中心线或向背离所述列中心线的方向延长预设行偏移量,以获得第二行检测图案;
根据所述第二图案的行图案确定所述列偏移量的列初始检测图案,所述列初始检测图案在行方向上的边界与所述第一列检测图案在行方向上的边界重叠;
将所述列初始检测图案在列方向上的边界向所述第一列检测图案的行中心线的方向延长预设列偏移量,以获得第二列检测图案。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取与所述第一图案对应的第一检测图案和与所述第二图案对应的第二检测图案,包括:
根据所述第一图案确定所述第一检测图案;
在所述第一检测图案的基础上,根据所述第二图案确定所述第二检测图案,并使所述第二检测图案的边界超过所述第一检测图案的边界所述预设偏移量。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,
所述根据所述第一图案确定所述第一检测图案,包括:
根据所述第一图案的列图案确定用于获取所述行偏移量的第一行检测图案;
根据所述第一图案的行图案确定用于获取所述列偏移量的第一列检测图案。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第一图案为黑色矩阵图案,所述第二图案为阳极图案,可先根据黑色矩阵图案在列方向上的图案即列图案确定出第一行检测图案。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据形成后的所述第一检测图案与所述第二检测图案之间的偏移量和所述预设偏移量,获取所述第一图案与所述第二图案之间的偏移量,包括:
计算形成后的所述第一检测图案与所述第二检测图案之间的偏移量与所述预设偏移量之间的差值;
根据所述差值获取所述第一图案与所述第二图案之间的偏移量。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,其特征在于,所述第一图案为黑色矩阵图案、阳极图案和像素形成图案中的任一种,所述第二图案为所述黑色矩阵图案、所述阳极图案和所述像素形成图案中的任一种。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,其特征在于,所述基板还设有走线区,所述检测区为除所述显示区和所述走线区之外的任意区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





