[发明专利]识别激光故障注入攻击的方法、装置、存储介质及终端有效

专利信息
申请号: 201811518931.5 申请日: 2018-12-12
公开(公告)号: CN111314045B 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 温浪明;陈恒;张浩亮;方励 申请(专利权)人: 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
主分类号: H04L9/00 分类号: H04L9/00;G06F21/55
代理公司: 北京煦润律师事务所 11522 代理人: 朱清娟;梁永芳
地址: 519000*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 识别 激光 故障 注入 攻击 方法 装置 存储 介质 终端
【说明书】:

发明公开了一种识别激光故障注入攻击的方法、装置、存储介质及终端,该方法包括:获取芯片的配置信息;生成与所述配置信息对应的校验信息,并产生校验状态信号;根据所述校验信息和所述校验状态信号,检测所述芯片是否受到激光故障注入。所述装置包括:获取模块、校验位生成模块和检测验证模块。本发明的方案,根据生成的与配置信息对应的校验信息,以及校验状态信号,检测芯片是否受到激光故障注入,可以识别出芯片是否受到攻击,从而可以对芯片中的配置信息进行保护,避免造成重大损失。

技术领域

本发明属于电子计算机技术领域,具体涉及一种识别激光故障注入攻击的方法、装置、存储介质及终端,具体涉及一种防激光攻击的配置信息保护方法、装置、存储介质及终端。

背景技术

芯片(又称为“集成电路”)的应用范围非常广泛, 在芯片设计中,需要根据芯片的实际应用场景为芯片设置相应的配置信息。配置信息用于区分产品方向、特性等以适用于不同的应用场景,配置信息通常存储在NVM( Non-Volatile Memory,非易失存储器)中。其中一些配置信息会作为芯片特殊功能开启或者关闭的条件,芯片特殊功能开启或者关闭的条件对应的配置信息可以称之为敏感配置信息。在上电的过程中,敏感配置信息经软硬件操作从NVM获取并存储在寄存器当中,如果这些敏感配置信息被黑客获取,会实现对芯片的攻击,造成重大损失。

芯片的实现材料是硅半导体以及少量掺杂元素,其中N 型半导体带有电子,P 型半导体带有空穴,电子空穴在共价键中处于束缚状态。当给电子提供足够的能量,就会脱离束缚变成自由的电子。由于半导体的能量吸收与材质、光的波长、以及光的强度等因素有关。当硅半导体吸收特定波长的光子达到一定程度后,电子将脱离共价键束缚变成自由电子,这样会使芯片的CMOS(Metal-Oxide-Semiconductor,金属-氧化物-半导体)晶体管导通,产生非正常的数据输出,从而达到故障注入的目的。黑客可通过激光故障注入的方式改变存储在寄存器中的配置信息(特别是敏感配置信息),使得运行芯片的系统变得薄弱,导致芯片的一些防护功能被打开或者是弱化,黑客获取到配置信息。

然而,在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术中,没有存在识别芯片是否受到了激光故障注入攻击的方法,无法对芯片的配置信息进行保护。

发明内容

本发明的目的在于,针对上述缺陷,提供一识别激光故障注入攻击的方法、装置、存储介质及终端,以解决现有技术中没有存在识别芯片是否受到了激光故障注入的攻击问题,达到对芯片的配置信息进行保护的效果。

本发明提供一种识别激光故障注入攻击的方法,其特征在于,所述方法包括:

获取芯片的配置信息;

生成与所述配置信息对应的校验信息,并产生校验状态信号;

根据所述校验信息和所述校验状态信号,检测所述芯片是否受到激光故

障注入。

进一步地,获取芯片的配置信息,包括:

获取预设使能信号控制模块产生的配置信息更新使能信号;

通过NVM读写控制单元,从NVM中读取所述芯片的配置信息;

将所述芯片的配置信息存储在预设寄存器组。

进一步地,生成与所述配置信息对应的校验信息,并产生校验状态信号,包括:

获取所述预设使能信号控制模块产生的校验信息生成使能信号;

根据所述预设寄存器组的配置信息,生成与所述配置信息对应的校验信息;

获取所述预设使能信号控制模块产生的校验信息锁存使能信号,将所述校验信息锁存在预设校验信息存储模块,并产生所述校验状态信号。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司,未经珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811518931.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top