[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的存储器模块

说明书

本发明公开了一种半导体器件及包括该半导体器件的存储器模块。半导体器件包括计数器，该计数器被配置为对刷新信号进行计数并输出计数信号。半导体器件可以包括模式控制电路，该模式控制电路被配置为对应于错误校正码信息来接收用于控制刷新周期的第一模式信号和用于恒定地控制刷新周期的第二模式信号，被配置为通过根据第一模式信号控制计数信号来输出其中刷新周期被调整的高级刷新信号，并且被配置为对应于第二模式信号来输出具有恒定刷新周期的智能刷新信号。半导体器件可以包括刷新控制电路，该刷新控制电路被配置为将对应于高级刷新信号和智能刷新信号而设置的用于执行刷新操作的存储体地址输出至存储体。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年4月17日向韩国知识产权局提交的第10-2018-0044339号韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

各种实施例总体涉及一种半导体器件和包括该半导体器件的存储器模块，更具体地，涉及一种与通过控制刷新操作来减小刷新电流有关的技术。

背景技术

已在不断开发半导体存储器件以提高其集成度和操作速度。为了提高操作速度，在本领域中已经公开了所谓的同步存储器件，其能够与从存储器芯片的外部提供的时钟同步地操作。

在半导体存储器件之中，DRAM(动态随机存取存储器)是有代表性的易失性存储器。DRAM的存储单元由单元晶体管和单元电容器构成。

单元晶体管用于控制对单元电容器的访问，并且单元电容器储存与数据相对应的电荷。也就是说，根据储存在单元电容器中的电荷量，确定高电平的数据或低电平的数据。

在这种DRAM的存储单元中，由于泄漏分量的缘故，电荷被引入单元电容器或从单元电容器放电，因此应该周期性地再次储存相应的数据。以这种方式，被周期性执行以准确地保持数据的操作被称为刷新操作。

发明内容

在一个实施例中，可以提供一种半导体器件。所述半导体器件可以包括计数器，该计数器被配置为对刷新信号进行计数并输出计数信号。所述半导体器件可以包括模式控制电路，该模式控制电路被配置为对应于错误校正码信息来接收用于控制刷新周期的第一模式信号和用于恒定地控制刷新周期的第二模式信号，被配置为通过根据所述第一模式信号控制所述计数信号来输出其中所述刷新周期被调整的高级刷新信号，并且被配置为对应于所述第二模式信号来输出具有恒定刷新周期的智能刷新信号。所述半导体器件可以包括刷新控制电路，该刷新控制电路被配置为将与所述高级刷新信号和所述智能刷新信号相对应地设置的用于执行刷新操作的存储体地址输出至存储体。

在一个实施例中，可以提供一种存储器模块。所述存储器模块可以包括多个半导体器件，所述多个半导体器件被配置为对应于命令信号、地址和数据来执行写入或读取操作。所述存储器模块可以包括控制器，该控制器被配置为在所述多个半导体器件中储存和管理要被访问的数据。根据与错误校正码相对应的错误校正码信息，所述多个半导体器件中的每一个半导体器件的刷新周期可以被不同地设置。

附图说明

图1是示出根据实施例的半导体器件的示例代表的配置图。

图2是示出图1中所示的半导体器件的刷新操作的波形的示例代表的图。

图3至图5是示出图1所示的半导体器件的刷新操作的波形的示例代表的图。

图6是示出根据实施例的存储器模块的示例代表的配置图。

图7是示出图6中所示的每个半导体器件的结构的示例代表的详图。

具体实施方式

在下文中，将通过实施例的各种示例参考附图在下面描述半导体器件和包括该半导体器件的存储器模块。