[发明专利]多层电容器

权利要求书

1.一种多层电容器，所述多层电容器包括：

电容器主体，包括交替地堆叠的多个第一内电极和多个第二内电极，并且介电层介于所述多个第一内电极和所述多个第二内电极之间；

第一外电极和第二外电极，分别电连接到所述多个第一内电极和所述多个第二内电极；

第一肖特基层，位于所述第一内电极与所述介电层之间的界面处；以及

第二肖特基层，位于所述第二内电极与所述介电层之间的界面处，

其中，所述第一肖特基层的第一功函数值和所述第二肖特基层的第二功函数值均高于所述第一内电极和所述第二内电极的第三功函数值，并且

其中，所述第一肖特基层和所述第二肖特基层包括二硫化钼、氧化钼、二硒化钨、碲化镉和硫化镉中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述第一肖特基层仅位于所述第一内电极的在所述介电层的堆叠方向上的上表面和下表面中的一个表面上，并且所述第二肖特基层仅位于所述第二内电极的在所述堆叠方向上的上表面和下表面中的一个表面上。

3.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述电容器主体包括重复的堆叠结构，所述堆叠结构包括按顺序的所述介电层中的一个、所述多个第一内电极中的一个、多个所述第一肖特基层中的一个、所述介电层中的另一个、所述多个第二内电极中的一个以及多个所述第二肖特基层中的一个。

4.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述电容器主体包括重复的堆叠结构，所述堆叠结构包括按顺序的所述介电层中的一个、多个所述第一肖特基层中的一个、所述多个第一内电极中的一个、所述介电层中的另一个、多个所述第二肖特基层中的一个以及所述多个第二内电极中的一个。

5.根据权利要求2所述的多层电容器，其中，所述第一肖特基层覆盖所述第一内电极的整个所述一个表面，并且所述第二肖特基层覆盖所述第二内电极的整个所述一个表面。

6.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述第一肖特基层位于所述第一内电极的在所述介电层的堆叠方向上的相应的上表面和下表面上，并且所述第二肖特基层位于所述第二内电极的在所述堆叠方向上的相应的上表面和下表面上。

7.根据权利要求6所述的多层电容器，其中，所述第一肖特基层覆盖所述第一内电极的整个所述上表面和整个所述下表面，并且所述第二肖特基层覆盖所述第二内电极的整个所述上表面和整个所述下表面。

8.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述电容器主体包括重复的堆叠结构，所述堆叠结构包括按顺序的所述介电层中的一个、多个所述第一肖特基层中的一个、所述多个第一内电极中的所述一个、所述多个第一肖特基层中的另一个、所述介电层中的另一个、多个所述第二肖特基层中的一个、所述多个第二内电极中的所述一个以及所述多个第二肖特基层中的另一个。

9.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述第一肖特基层和所述第二肖特基层是绝缘半导体层。

10.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述介电层包括钛酸钡。

11.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述第一内电极和所述第二内电极包括铂、钯、钯-银合金、镍和铜中的一种或更多种。

12.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述第一肖特基层的上表面或下表面的第一尺寸以及所述第二肖特基层的上表面或下表面的第二尺寸均等于或大于所述第一内电极或所述第二内电极的上表面或下表面的第三尺寸。