[发明专利]接合的半导体器件及其形成方法

说明书

一种方法包括穿过第一封装组件的第一钝化层图案化腔，第一封装组件包括第一半导体衬底，以及将第一封装组件接合到第二封装组件。第二封装组件包括第二半导体衬底和第二钝化层。将第一封装组件接合到第二封装组件包括：将第一钝化层直接接合到第二钝化层；以及回流设置在腔中的导电连接件的焊料区，以将第一封装组件电连接到第二封装组件。本发明的实施例还涉及接合的半导体器件及其形成方法。

技术领域

本发明的实施例涉及接合的半导体器件及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用，例如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上顺序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

半导体工业通过不断减小最小部件尺寸继续改善各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多组件集成到给定区域中。然而，随着最小部件尺寸的减小，出现了应该解决的其他问题。

发明内容

本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：穿过第一封装组件的第一钝化层图案化腔，所述第一封装组件包括第一半导体衬底；以及将所述第一封装组件接合到第二封装组件，所述第二封装组件包括第二半导体衬底和第二钝化层，其中，将所述第一封装组件接合到所述第二封装组件包括：将所述第一钝化层直接接合到所述第二钝化层；和回流设置在所述腔中的导电连接件的焊料区，以将所述第一封装组件电连接到所述第二封装组件。

本发明的另一实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在第一封装组件的第一钝化层上形成第一晶种层；在所述第一晶种层上镀一个或多个第一导电层；在所述一个或多个第一导电层上形成焊料区；以及将所述第一封装组件接合到第二封装组件，其中，所述第二封装组件包括第二钝化层，并且其中，将所述第一封装组件接合到所述第二封装组件包括：将所述焊料区放置在延伸穿过所述第二钝化层的开口中，所述开口暴露所述第二封装组件的接触焊盘；将所述第一钝化层直接接合到所述第二钝化层；和回流所述焊料区以将所述焊料区延伸到所述第二封装组件的所述接触焊盘。

本发明的又一实施例提供了一种封装件，包括：第一管芯，包括：第一钝化层；和第一接触焊盘；第二管芯，接合到所述第一管芯，所述第二管芯包括：第二钝化层，与所述第一钝化层形成界面；和第二接触焊盘，位于所述第二钝化层的表面处；管芯连接件，从所述第二接触焊盘穿过所述第一钝化层延伸到所述第一接触焊盘，所述管芯连接件包括：凸块下金属(UBM)，包括位于第二导电层上的第一导电层，所述第一导电层具有与所述第二导电层不同的宽度；和焊料区，与所述第一接触焊盘接触。

附图说明

当接合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A至图1H示出了根据一些实施例的制造半导体封装件的各个中间步骤的截面图。

图2A至图2C示出了根据一些实施例的制造半导体封装件的各个中间步骤的截面图。

图3A至图3E示出了根据一些实施例的制造半导体封装件的各个中间步骤的截面图。

图4A至图4F示出了根据一些实施例的制造半导体封装件的各个中间步骤的截面图。

图5示出了根据一些实施例的半导体封装件的截面图。

图6示出了根据一些实施例的可能的半导体封装件配置的表格。

具体实施方式