[发明专利]接合的半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

对第一封装组件的第一钝化层进行图案化而形成穿过所述第一钝化层的腔，所述第一封装组件包括第一半导体衬底；以及

将所述第一封装组件接合到第二封装组件，所述第二封装组件包括第二半导体衬底和第二钝化层，其中，将所述第一封装组件接合到所述第二封装组件包括：

将所述第一钝化层直接接合到所述第二钝化层；和

回流设置在所述腔中的导电连接件的焊料区，以将所述第一封装组件电连接到所述第二封装组件，其中，所述导电连接件包括所述焊料区、晶种层以及设置在所述晶种层和所述焊料区之间的金属层；

其中，在将所述第一封装组件接合到所述第二封装组件之前，蚀刻所述金属层以减小所述金属层的表面积，其中，蚀刻所述金属层包括以比所述晶种层更高的速率蚀刻所述金属层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属层为第二金属层，所述导电连接件的形成包括：

在所述第二钝化层中的第一导电部件上形成所述晶种层；

在所述晶种层上形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成所述第二金属层；

蚀刻所述第二金属层；以及

在蚀刻所述第二金属层之后，在所述第二金属层上形成所述焊料区。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，蚀刻所述第二金属层减小了所述第二金属层的与所述第一金属层相对的表面处的所述第二金属层的表面积。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述晶种层的形成包括使用溅射工艺形成第一铜层，其中，形成所述第二金属层包括使用镀工艺形成第二铜层。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在将所述第一封装组件接合到所述第二封装组件之前，在所述腔的侧壁和底面上镀第二导电部件。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，将所述第一封装组件接合到所述第二封装组件包括将所述第二导电部件的多个导电针嵌入所述焊料区中。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括在将所述第一封装组件接合到所述第二封装组件之前，在所述腔中形成所述导电连接件。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一封装组件接合到所述第二封装组件是无焊剂接合工艺。

9.一种形成半导体器件的方法，包括：

在第一封装组件的第一钝化层上形成第一晶种层；

在所述第一晶种层上镀一个或多个第一导电层；

在所述一个或多个第一导电层上形成焊料区；以及

将所述第一封装组件接合到第二封装组件，其中，所述第二封装组件包括第二钝化层，并且其中，将所述第一封装组件接合到所述第二封装组件包括：

将所述焊料区放置在延伸穿过所述第二钝化层的开口中，所述开口暴露所述第二封装组件的接触焊盘；

将所述第一钝化层直接接合到所述第二钝化层；和

回流所述焊料区以将所述焊料区延伸到所述第二封装组件的所述接触焊盘，

所述方法还包括在将所述第一封装组件接合到所述第二封装组件之前，蚀刻所述一个或多个第一导电层和所述第一晶种层，并且所述第一晶种层的宽度比所述一个或多个第一导电层的宽度减小得更少。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述一个或多个第一导电层包括铜层，并且所述方法还包括在将所述第一封装组件接合到所述第二封装组件之前，蚀刻所述铜层以减小所述铜层的表面积。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括在蚀刻所述铜层的同时，蚀刻所述第一晶种层以减小所述第一晶种层的宽度。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在蚀刻后，所述铜层的宽度在2μm至20μm的范围内并且所述第一晶种层的宽度在3μm到30μm的范围内。