[发明专利]贴合晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201811503657.4 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN110060959B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 森川靖之 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蔡晓菡;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 贴合 晶片 制造 方法 | ||
1.贴合晶片的制造方法，其特征在于，包含将支撑基板用晶片和活性层用晶片隔着绝缘膜贴合的贴合工序、在所述支撑基板用晶片上形成平台面的平台形成工序和除去由所述平台形成工序产生的形变区域的形变除去工序，
所述平台形成工序使用具有低目数磨石和比该低目数磨石的目数高的高目数磨石的倒角轮进行，
所述平台形成工序包括：
使用所述低目数磨石，从所述活性层用晶片侧开始，经过所述活性层用晶片的倒角加工，进行所述绝缘膜的倒角加工，进一步进行所述支撑基板用晶片的倒角加工的粗倒角加工工序，和
在该粗倒角加工工序之后，使用所述高目数磨石进行通过所述粗倒角加工工序得到的加工面的最终倒角加工的最终倒角加工工序，
在直径不同的圆盘呈同心圆状地堆积而成的多级结构的倒角轮的内径部的周缘设置所述低目数磨石，且在与所述内径部相比位于外侧的外径部的周缘设置所述高目数磨石，
使用所述多级结构的倒角轮连续地进行所述粗倒角加工工序和所述最终倒角加工工序，
在所述平台形成工序中形成的平台倾斜面不具有高低差。
2.根据权利要求1所述的贴合晶片的制造方法，其中，在所述平台形成工序后进一步具有将所述活性层用晶片进行薄膜化而得到活性层的薄膜化工序。
3.根据权利要求1或2所述的贴合晶片的制造方法，其中，所述活性层用晶片由硅晶片形成。
4.根据权利要求1或2所述的贴合晶片的制造方法，其中，所述绝缘膜由氧化硅形成。
5.根据权利要求1或2所述的贴合晶片的制造方法，其中，在所述支撑基板用晶片的端面和背面设置所述绝缘膜。
6.根据权利要求1或2所述的贴合晶片的制造方法，其中，使用了上述高目数磨石的上述最终倒角加工工序中的水平方向上的磨削加工余量为50～200μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
