[发明专利]贴合晶片的制造方法

说明书

本发明的目的在于提供可以稳定地制造支撑基板用晶片上设置有平台面的贴合晶片的贴合晶片的制造方法。本发明的贴合晶片的制造方法中，平台形成工序使用具有低目数磨石和比该低目数磨石的目数高的高目数磨石的倒角轮进行，所述平台形成工序包括：使用所述低目数磨石，从所述活性层用晶片侧开始，经过所述活性层用晶片的倒角加工，进行所述绝缘膜的倒角加工，进一步进行所述支撑基板用晶片的倒角加工的粗倒角加工工序，和在该粗倒角加工工序之后，使用所述高目数磨石进行通过所述粗倒角加工工序得到的加工面的最终倒角加工的最终倒角加工工序。

技术领域

本发明涉及贴合晶片的制造方法。

背景技术

作为半导体晶片，已知由单晶硅形成的硅晶片和由GaAs等化合物半导体形成的大的晶片（以下有时称为“大晶片（bulk wafer）”）。另外，已知在大晶片的表面设置绝缘膜，隔着该绝缘膜贴合活性层用晶片而成的贴合晶片。贴合晶片通常通过将活性层用晶片进一步进行薄膜化形成活性层，该活性层用做半导体装置形成区域。要说明的是，活性层用晶片有时使用与大晶片同种的晶片，有时使用不同种的晶片。

特别是近年来，在高集成CMOS元件、高耐压元件以及图像传感器领域具有SOI(Silicon on Insulator)结构的SOI晶片受到瞩目。该SOI晶片具有在支撑基板上依次形成氧化硅(SiO₂)等绝缘膜、用作装置活性层的单晶硅层等半导体层的结构。在大的硅基板中在元件和基板之间可发生的寄生电容虽然比较大，但是SOI晶片可以大幅减少寄生电容，因此在装置的高速化、高耐压化、低耗电化等方面是有利的。

在SOI晶片等贴合晶片中，有时为了防止破裂等各种目的而在活性层的外周侧形成称为“平台（terrace）”的区域。另外，在贴合晶片上制作半导体装置的装置形成工艺中设置了平台的部分（平台部）有时用于晶片传送。

例如，在专利文献1中公开了如图1所示的在由Si晶片形成的支撑基板910上隔着氧化硅膜920设置由硅形成的活性层930的SOI晶片900。在该SOI晶片900中，活性层930的外周端相对于支撑基板910的外周端位于内侧，且支撑基板910的周缘被倒角。另外，该SOI晶片900中的平台面T_A设置于支撑体910。要说明的是，以后，本说明书中将支撑基板的外周部的平坦面区域称为平台面T_A，将活性层的平坦面和平台面T_A之间的倾斜面称为平台倾斜面T_B。以下，将平台面T_A和平台倾斜面T_B统称为“平台部”。

通过专利文献1的技术，将该SOI晶片900供于装置形成工艺中时，可以防止支撑基板910和活性层930的接合面或者活性层930的周缘的破裂。

专利文献1中，为了形成上述平台部进行以下的加工。首先，在使保持于晶片夹持台的加工前的贴合基板旋转的同时，使该贴合基板接近倒角轮的金刚石电沉积面。然后，使晶片夹持台升降，与包括倒角轮的斜面的凹面接触，由此在支撑基板用的硅晶片和活性层用硅晶片各自的周缘部形成加工面。

现有技术文献

专利文献

专利文献1 日本特开平1-227441号公报。

发明内容

发明要解决的课题

本发明人的研究发现，上述以往的加工方法在量产时会发生加工形状的恶化。因此，通过以往的技术不能稳定地制造在支撑基板用晶片上设置有平台面的贴合晶片。

为此，鉴于上述课题，本发明的目的在于提供贴合晶片的制造方法，该方法可以稳定地制造在支撑基板用晶片上设置有平台面的贴合晶片。

用于解决课题的手段