[发明专利]一种敏感电路的版图设计方法及版图

权利要求书

1.一种敏感电路的版图设计方法，其特征在于，所述敏感电路的版图设计方法用于消除敏感电路版图金属密度不足，包括如下步骤：

S1：判断敏感电路的版图的金属密度是否达到要求；

S2：如果敏感电路的版图的金属密度没有达到要求，则从焊盘上引入一条金属线；所述金属线的电阻小于0.5欧姆；

S3：在所述敏感电路版图的周边和内部添加若干满足金属密度要求的衬底接触，以提高敏感电路版图金属密度；

S4：将所述衬底接触连接到所述金属线上；

S5：再次判断敏感电路的版图的金属密度是否达到要求；

S6：如果敏感电路的版图的金属密度仍没有达到要求，则在各金属密度不足的区域添加相应的金属层连接至所述金属线上，直至敏感电路的版图的金属密度达到要求。

2.根据权利要求1所述的敏感电路的版图设计方法，其特征在于，对于N阱CMOS工艺，所述金属线从接地焊盘引入；对于P阱CMOS工艺，所述金属线从电源焊盘引入。

3.根据权利要求1所述的敏感电路的版图设计方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述金属线是任意金属层或者金属层之间的叠加。

4.根据权利要求1所述的敏感电路的版图设计方法，其特征在于，所述步骤S3中，对于N阱CMOS工艺，所述敏感电路版图的内部具体为除N阱区域外的场氧区；对于P阱CMOS工艺，所述敏感电路版图的内部具体为除P阱区域外的场氧区。

5.根据权利要求1所述的敏感电路的版图设计方法，其特征在于，所述步骤S3中，对于N阱CMOS工艺，添加的所述衬底接触为P型衬底接触；对于P阱CMOS工艺，添加的所述衬底接触为N型衬底接触。

6.根据权利要求1所述的敏感电路的版图设计方法，其特征在于，所述步骤S4中，将所述衬底接触连接到所述金属线上的方法具体为在所述衬底接触和金属线间打满通孔和过孔。

7.根据权利要求2所述的敏感电路的版图设计方法，其特征在于，所述步骤S6中，在金属密度不足的区域添加相应的金属层时依次从底层的金属密度不足的区域到高层金属密度不足的区域逐层进行添加。

8.一种敏感电路的版图，其特征在于，所述敏感电路的版图采用如权利要求1~7任一所述的敏感电路的版图设计方法进行设计。