[发明专利]执行擦除操作的设备及方法在审
申请号: | 201811496202.4 | 申请日: | 2018-12-07 |
公开(公告)号: | CN110010183A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | F·罗里;C·切拉福利 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C16/16 | 分类号: | G11C16/16;G11C16/34 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 擦除 擦除电压脉冲 存储器单元 验证 擦除操作 存储器单元阵列 施加 申请案 | ||
1.一种方法,其包括:
对存储器单元(221)阵列(112)的一部分的存储器单元(221)的第一组执行第一擦除验证;及
对所述阵列(112)的所述部分的存储器单元(221)的第二组执行第二擦除验证;
如果所述第一组未通过所述第一擦除验证且如果所述第二组未通过所述第二擦除验证,那么将第一擦除电压脉冲(552)同时施加到所述阵列(215)的所述部分中的每一存储器单元(221);及
如果所述第一组通过所述第一擦除验证且如果所述第二组未通过所述第二擦除验证,那么将第二擦除电压脉冲(554)同时施加到所述阵列的所述部分中的每一存储器单元(221);
其中所述第二擦除电压脉冲(554)不同于所述第一擦除电压脉冲(552)。
2.根据权利要求1所述的方法,其中与所述第一擦除电压脉冲(552)不同的所述第二擦除电压脉冲(554)包括具有以下两项中的至少一者的第二擦除电压脉冲(554):
量值比所述第一擦除电压脉冲的电压低的电压;及
具有比所述第一擦除电压脉冲短的持续时间。
3.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述阵列(112)的所述部分包括若干串(220)串联耦合存储器单元(221);
所述第一组包括所述若干串(220)中的每一者中的所述存储器单元(221)的第一群组;且
所述第二组包括所述若干串(220)中的每一者中的所述存储器单元(221)的第二群组。
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法,其进一步包括:
在将通过电压施加到存储器单元(221)的所述第二组的同时,对存储器单元(221)的所述第一组执行所述第一擦除验证;及
在将所述通过电压施加到存储器单元(221)的所述第一组的同时,对存储器单元(221)的所述第二组执行所述第二擦除验证。
5.根据权利要求4所述的方法,其进一步包括:
通过将第一擦除验证电压施加到存储器单元(221)的所述第一组来对存储器单元(221)的所述第一组执行所述第一擦除验证;
通过将第二擦除验证电压施加到存储器单元(221)的所述第二组来对存储器单元(221)的所述第二组执行所述第二擦除验证;及
对存储器单元(221)的所述第一组及存储器单元(221)的所述第二组应用相同的未通过准则。
6.根据权利要求4所述的方法,其进一步包括:
通过将擦除验证电压施加到存储器单元(221)的所述第一组来对存储器单元(221)的所述第一组执行所述第一擦除验证;
通过将所述擦除验证电压施加到存储器单元(221)的所述第二组来对存储器单元(221)的所述第二组执行所述第二擦除验证;及
对存储器单元(221)的所述第一组应用第一未通过准则且对存储器单元(221)的第二组应用第二未通过准则,其中所述第二未通过准则不同于所述第一未通过准则。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述第一未通过准则包括在所述第一组通过所述第一擦除验证的情况下,所述第一组中被允许不通过所述第一擦除验证的存储器单元(221)的第一阈值数目;且所述第二未通过准则是在所述第二组通过所述第二擦除验证的情况下,所述第二组中被允许不通过所述第二擦除验证的存储器单元(221)的第二阈值数目。
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