[发明专利]场效应晶体管、片上系统以及制造其的方法

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体片上系统，包括：

多个部分环绕栅极场效应晶体管，所述多个部分环绕栅极场效应晶体管中的每一个部分环绕栅极场效应晶体管包括：

鳍，包括沟道区的堆叠，所述堆叠包括至少第一沟道区以及堆叠在所述第一沟道区上的第二沟道区；

源区以及漏区，位于所述鳍的相对侧上；

介电分隔区，包括所述第一沟道区与所述第二沟道区之间的介电材料；

栅极堆叠，位于所述鳍上；以及

一对侧壁间隔物，位于所述栅极堆叠的相对侧上，其中所述介电分隔区的一部分具有从所述介电分隔区的外边缘到所述一对侧壁间隔物中的相应一个的内边缘的长度，以及

其中所述部分环绕栅极场效应晶体管中的一个的所述介电分隔区的所述部分的所述长度与所述部分环绕栅极场效应晶体管中的另一个的所述介电分隔区的所述部分的所述长度不同。

2.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体片上系统，其中所述部分环绕栅极场效应晶体管中的所述一个的所述介电分隔区的所述部分的所述长度小于所述部分环绕栅极场效应晶体管中的所述另一个的所述介电分隔区的所述部分的所述长度。

3.根据权利要求2所述的互补金属氧化物半导体片上系统，其中所述部分环绕栅极场效应晶体管中的所述一个的所述介电分隔区的所述部分的所述长度为0纳米到10纳米。

4.根据权利要求2所述的互补金属氧化物半导体片上系统，其中所述部分环绕栅极场效应晶体管中的所述一个的所述介电分隔区的所述部分的所述长度为0纳米到6纳米。

5.根据权利要求2所述的互补金属氧化物半导体片上系统，其中所述部分环绕栅极场效应晶体管中的所述另一个具有高电压阈值或常规电压阈值，以及其中所述部分环绕栅极场效应晶体管中的所述另一个的电容低于所述部分环绕栅极场效应晶体管中的所述一个的电容。

6.根据权利要求2所述的互补金属氧化物半导体片上系统，其中所述部分环绕栅极场效应晶体管中的所述一个具有低电压阈值或超低电压阈值，以及其中所述部分环绕栅极场效应晶体管中的所述一个的电阻低于所述部分环绕栅极场效应晶体管中的所述另一个的电阻。

7.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体片上系统，其中所述部分环绕栅极场效应晶体管中的所述一个的所述一对侧壁间隔物比所述部分环绕栅极场效应晶体管中的所述另一个的所述一对侧壁间隔物更薄。

8.一种场效应晶体管，包括：

鳍，包括沟道区的堆叠，所述堆叠包括至少第一沟道区以及堆叠在所述第一沟道区上的第二沟道区；

源区以及漏区，位于所述鳍的相对侧上；

介电分隔区，包括所述第一沟道区与所述第二沟道区之间的介电材料；

栅极堆叠，位于所述鳍上；以及

一对侧壁间隔物，位于所述栅极堆叠的相对侧上，

其中所述介电分隔区的外边缘侧向地位于所述一对侧壁间隔物中的相应一个的内表面与外表面之间。

9.根据权利要求8所述的场效应晶体管，其中所述介电分隔区的一部分具有从所述介电分隔区的外边缘到所述一对侧壁间隔物中的相应一个的内边缘的长度。

10.根据权利要求9所述的场效应晶体管，其中所述介电分隔的所述部分的所述长度为0纳米到10纳米。

11.根据权利要求9所述的场效应晶体管，其中所述介电分隔的所述部分的所述长度为0纳米到6纳米。