[发明专利]一种基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结

说明书

本发明涉及一种基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结，包括N型半导体，以及与N型半导体相连的金属体，所述N型半导体的上表面设置有相互间隔的左旋结构阵列、右旋结构阵列，通过改变N型半导体的局部温度，从而使得N型半导体形成一个温度梯度，使得N型半导体内部的载流子发生定向移动，从而形成一个微电流，达到调控肖特基结的肖特基势垒的目的，本专利申请的技术方案通过圆偏振光产生热场或者直接采用热场调节吸收率，使得N型半导体的局部温度不同，实现了双场调控的方式，而且比较容易进行控制。

技术领域

本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结。

背景技术

肖特基结是一种简单的金属与半导体的交界面，它与PN结相似，具有非线性阻抗特性。1938年德国的W.H.肖特基提出理论模型，对此特性作了科学的解释，故后来把这种金属与半导体的交界面称为肖特基结或肖特基势垒。

不同金属与不同种类的半导体接触时，具有不同的肖特基势垒高度。势垒高度随外加电压变化。当金属接正电压时,空间电荷区中的电场减小,势垒降低，载流子容易通过；反之势垒升高，载流子不易通过。因此肖特基结具有单向导电的整流特性。与PN结相比，肖特基结电流输运的显著特点是多数载流子起主要作用，因此电荷储存效应小，反向恢复时间很短。肖特基结的电流-电压和电容-电压特性与PN结的相似，但肖特基结的电流-电压曲线的正向开启电压较低，正向曲线的斜率较大，反向击穿电压较低。

但是，现有的肖特基结在调控肖特基势垒的方式方面，比较单一，这极大的限制了肖特基结的功能应用。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的是解决现有的肖特基结在调控肖特基势垒的方式方面，比较单一，这极大的限制了肖特基结的功能应用的问题。

为此，本发明提供了一种基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结，包括N型半导体，以及与N型半导体相连的金属体，所述N型半导体的上表面设置有相互间隔的左旋结构阵列、右旋结构阵列。

所述N型半导体与金属体相连的侧面为一斜面。

所述左旋结构阵列的下方设置有多个第一孔洞，右旋结构阵列的下方设置有多个第二孔洞。

所述第二孔洞的深度与第一孔洞的深度不同。

所述N型半导体的上表面为一斜面。

N型半导体内部设置有导热带。

导热带为石墨烯制成。

所述N型半导体还连接有第一电极，所述金属体还连接有第二电极。

本发明的有益效果：本发明提供的这种基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结，解决现有的肖特基结在调控肖特基势垒的方式方面，比较单一，这极大的限制了肖特基结的功能应用的问题，通过改变N型半导体的局部温度，从而使得N型半导体形成一个温度梯度，使得N型半导体内部的载流子发生定向移动，从而形成一个微电流，达到调控肖特基结的肖特基势垒的目的，本专利申请的技术方案通过圆偏振光产生热场或者直接采用热场调节吸收率，使得N型半导体的局部温度不同，实现了双场调控的方式，而且比较容易进行控制。

以下将结合附图对本发明做进一步详细说明。

附图说明

图1是基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结的结构示意图一。

图2是基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结的结构示意图二。

图3是基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结的结构示意图三。

图4是基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结的结构示意图四。

图5是左旋结构阵列的结构示意图。