[发明专利]一种基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结在审
| 申请号： | 201811490932.3 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109560121A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;王天堃 | 申请（专利权）人： | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528458 广东省中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热场 肖特基结 圆偏振光 双调控 吸收率 载流子 肖特基势垒 定向移动 温度梯度 右旋结构 左旋结构 金属体 上表面 微电流 调控 申请 | ||
1.一种基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结，包括N型半导体(1)，以及与N型半导体(1)相连的金属体(2)，其特征在于：所述N型半导体(1)的上表面设置有相互间隔的左旋结构阵列(3)、右旋结构阵列(4)。
2.如权利要求1所述的一种基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结，其特征在于：所述N型半导体(1)与金属体(2)相连的侧面为一斜面。
3.如权利要求1所述的一种基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结，其特征在于：所述左旋结构阵列(3)的下方设置有多个第一孔洞(8)，右旋结构阵列(4)的下方设置有多个第二孔洞(7)。
4.如权利要求3所述的一种基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结，其特征在于：所述第二孔洞(7)的深度与第一孔洞(8)的深度不同。
5.如权利要求1所述的一种基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结，其特征在于：所述N型半导体(1)的上表面为一斜面。
6.如权利要求5所述的一种基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结，其特征在于：所述N型半导体(1)内部设置有导热带(9)。
7.如权利要求6所述的一种基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结，其特征在于：所述导热带(9)为石墨烯制成。
8.如权利要求1所述的一种基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结，其特征在于：所述N型半导体(1)还连接有第一电极(5)，所述金属体(2)还连接有第二电极(6)。
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