[发明专利]基于β-Ga2

权利要求书

1.一种基于β-Ga₂O₃/FTO异质结的日盲紫外光电探测器，其特征在于，包括β-Ga₂O₃薄膜、FTO导电玻璃和电极，所述β-Ga₂O₃薄膜置于FTO导电玻璃上构成异质结，在所述β-Ga₂O₃薄膜和所述FTO导电玻璃上各设置有一个电极，所述β-Ga₂O₃薄膜具有自支撑性能，厚度为300～500nm；

所述基于β-Ga₂O₃/FTO异质结的日盲紫外光电探测器的制备方法包括步骤：

1)在Si衬底上先后生长Sr₃Al₂O₆薄膜和β-Ga₂O₃薄膜，生长薄膜的方法为磁控溅射、金属有机化学气相沉积法、激光分子束外延法中的一种；

2)将生长有双层薄膜的Si衬底浸泡在水中，去掉Sr₃Al₂O₆薄膜层，将所述β-Ga₂O₃薄膜转移到FTO导电玻璃上；

3)在所述β-Ga₂O₃薄膜和所述FTO导电玻璃上各设置一个电极；

其中，采用磁控溅射生长Sr₃Al₂O₆薄膜的时间为70～90min，生长β-Ga₂O₃薄膜的时间为95～110min。

2.根据权利要求1所述的基于β-Ga₂O₃/FTO异质结的日盲紫外光电探测器，其特征在于，所述电极为In电极。

3.根据权利要求1或2所述的基于β-Ga₂O₃/FTO异质结的日盲紫外光电探测器，其特征在于，所述电极连接有外加电源，所述外加电源的电压在15V以上。

4.根据权利要求1所述的基于β-Ga₂O₃/FTO异质结的日盲紫外光电探测器，其特征在于，所述的磁控溅射的参数为：工作气氛为Ar气，工作气压为0.4～1.0Pa，衬底温度为700～850℃，溅射功率为80～150W。

5.根据权利要求1所述的基于β-Ga₂O₃/FTO异质结的日盲紫外光电探测器，其特征在于，步骤3)中，采用机械力把In电极按压在所述β-Ga₂O₃薄膜和所述FTO导电玻璃上。

6.权利要求1～5任一项所述的基于β-Ga₂O₃/FTO异质结的日盲紫外光电探测器在日盲紫外探测中的应用。