[发明专利]3D存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种3D存储器件的制造方法，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和第一叠层结构，所述第一叠层结构包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层；

刻蚀所述半导体结构形成贯穿所述第一叠层结构的多个沟道孔和共源极孔；

在所述半导体结构上形成封闭层以封闭所述沟道孔和所述共源极孔，其中，所述封闭层位于所述第一叠层结构上以及所述沟道孔和所述共源极孔的侧壁上；

在所述封闭层上覆盖硬掩膜层；

刻蚀所述硬掩膜层和位于所述共源极孔的封闭层以暴露出所述共源极孔；

利用多个所述共源极孔将所述第一叠层结构中的牺牲层替换成导体层，从而形成第二叠层结构；

去除位于所述沟道孔的封闭层以暴露出所述沟道孔；

利用多个所述沟道孔形成多个存储串；

在多个所述共源极孔内形成多个导电通道；

其中，所述多个存储串为蜂窝结构，每个所述导电通道位于所述蜂窝结构的中心并且用于通过所述衬底向其周围的所述多个存储串供电。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，利用所述多个沟道孔形成多个存储串包括：

在所述沟道孔依次形成阻挡绝缘层、电荷俘获层、隧穿绝缘层、沟道层以及介电质层。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，利用所述共源极孔将所述第一叠层结构中的牺牲层替换成导体层，从而形成所述第二叠层结构包括：

采用共源极孔作为蚀刻剂通道，去除所述第一叠层结构中的多个牺牲层，以形成与所述共源极孔连通的空腔；

采用共源极孔作为沉积物通道，在所述共源极孔和所述空腔中填充金属层；以及

对所述金属层进行蚀刻，重新形成共源极孔，从而将所述金属层分割成不同层面的多个栅极导体。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，在所述共源极孔内形成导电通道包括：

在所述共源极孔的侧壁上形成第一绝缘层；以及

在所述共源极孔中填充金属层以形成所述导电通道。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述蜂窝结构为六边形。