[发明专利]曝光辅助图形添加方法

说明书

本发明公开了一种曝光辅助图形添加方法，获取原始图层的完整设计版图；根据已经获得的原始版图图形，对当层版图进行OPC修正处理，再将处理后的版图图形间距小于要求一的区域选出来；在上述选定的区域内，添加曝光辅助图形；该曝光辅助图形的尺寸满足要求二，不会在硅片上曝出图形；在添加曝光辅助图形时，若光刻胶边界存在内凹，该内凹宽度小于要求三，则先将对应的原始版图图形外凸部分进行移除处理，再对移除外凸部分后所产生的新的边界添加曝光辅助图形。本发明能够有效地增大离子注入层工艺窗口，减少图形缺陷，提高产品的良率。

技术领域

本发明涉及微电子及半导体制造领域，特别是涉及一种曝光辅助图形添加方法。

背景技术

随着半导体工艺的不断发展，技术节点的不断减小，离子注入层图形的特征尺寸及与前层的对准精度要求越来越高。半导体制造工艺中图形尺寸的稳定性受到多种因素的影响。由于前层为多种衬底以及起伏形貌，离子注入层的光刻图形受到衬底及其形貌的影响，会出现图形尺寸失真，导致线宽变形，减小光刻工艺窗口，产生缺陷，降低合格率。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种曝光辅助图形添加方法，能够有效地增大离子注入层工艺窗口，减少图形缺陷，提高产品的良率。

为解决上述技术问题，本发明的曝光辅助图形添加方法，是采用如下技术方案实现的：

获取原始图层的完整设计版图；

根据已经获得的原始版图图形，对当层版图进行OPC修正处理，再将处理后的版图图形间距小于要求一的区域选出来；

在上述选定的区域内，添加曝光辅助图形；该曝光辅助图形的尺寸满足要求二，不会在硅片上曝出图形；

在添加曝光辅助图形时，若光刻胶边界存在内凹，该内凹宽度小于要求三，则先将对应的原始版图图形外凸部分进行移除处理，再对移除外凸部分后所产生的新的边界添加曝光辅助图形。

本发明针对原始版图图形存在长度较短的外凸(光刻胶边界存在内凹)的情况，提出添加曝光辅助图形的优化方法。若原始版图图形存在长度较短的外凸(光刻胶边界存在内凹)，则先将对应的原始版图图形外凸部分进行移除处理，再将移除外凸部分后所产生的新的版图边界用来添加曝光辅助图形。本发明的方法解决了在加入曝光辅助图形的过程中，由于版图存在外凸等不规则性，使加入的曝光辅助图形距离主图形边界过远，导致改善效果不佳的问题；由于曝光辅助图形不会在硅片上曝出，所以本发明仍然满足最小设计规则要求，同时，避免光刻过程中因衬底影响引起的线宽变形，提高光刻胶边缘形貌的稳定性，有效地增大离子注入层工艺窗口，获得更大的光刻工艺窗口，减小图形失真时产生缺陷的可能，提高成品合格率。

浅离子注入层的版图最小设计规则，随着节点变得越来越小。版图设计和逻辑运算时，通常只考虑满足器件要求，以及不违反最小设计规则，对于工艺窗口很难确保是最佳的。

由于本发明在实施过程中严格控制曝光辅助图形的尺寸等相关参数，不会在硅片上曝出，在满足最小设计规则的范围内改变，不会对器件产生影响。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是光强分布图(一)；

图2是光强分布图(二)；

图3是所述曝光辅助图形添加方法流程示意图；

图4是曝光辅助图形常规添加方法示意图；

图5是曝光辅助图形优化添加方法示意图。

具体实施方式