[发明专利]曝光辅助图形添加方法有效

专利信息
申请号: 201811477006.2 申请日: 2018-12-05
公开(公告)号: CN109407460B 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 康萌;张月雨;于世瑞 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: G03F1/36 分类号: G03F1/36;G03F1/38
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201315 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 曝光 辅助 图形 添加 方法
【权利要求书】:

1.一种曝光辅助图形添加方法,其特征在于:

获取原始图层的完整设计版图;

根据已经获得的原始版图图形,对当层版图进行OPC修正处理,再将处理后的版图图形间距小于要求一的区域选出来;所述要求一定义为小于500nm;

在上述选定的区域内,添加曝光辅助图形;该曝光辅助图形的尺寸满足要求二,不会在硅片上曝出图形;所述要求二,包括定义曝光辅助图形到主图形边界距离小于500nm,定义曝光辅助图形线端到主图形边界的距离大于50nm,定义曝光辅助图形之间的间距大于120nm,定义曝光辅助图形宽度为小于150nm,定义曝光辅助图形长度大于等于100nm;

在添加曝光辅助图形时,若光刻胶边界存在内凹,内凹宽度小于要求三,则先将对应的原始版图图形外凸部分进行移除处理,再对移除外凸部分后所产生的新的边界添加曝光辅助图形;所述要求三,取值与要求二中定义的曝光辅助图形之间的间距相关,定义为200nm。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:另外要求满足要求一的版图图形层间距平行长度大于100nm。

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