[发明专利]曝光辅助图形添加方法有效
申请号: | 201811477006.2 | 申请日: | 2018-12-05 |
公开(公告)号: | CN109407460B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 康萌;张月雨;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F1/38 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 辅助 图形 添加 方法 | ||
1.一种曝光辅助图形添加方法,其特征在于:
获取原始图层的完整设计版图;
根据已经获得的原始版图图形,对当层版图进行OPC修正处理,再将处理后的版图图形间距小于要求一的区域选出来;所述要求一定义为小于500nm;
在上述选定的区域内,添加曝光辅助图形;该曝光辅助图形的尺寸满足要求二,不会在硅片上曝出图形;所述要求二,包括定义曝光辅助图形到主图形边界距离小于500nm,定义曝光辅助图形线端到主图形边界的距离大于50nm,定义曝光辅助图形之间的间距大于120nm,定义曝光辅助图形宽度为小于150nm,定义曝光辅助图形长度大于等于100nm;
在添加曝光辅助图形时,若光刻胶边界存在内凹,内凹宽度小于要求三,则先将对应的原始版图图形外凸部分进行移除处理,再对移除外凸部分后所产生的新的边界添加曝光辅助图形;所述要求三,取值与要求二中定义的曝光辅助图形之间的间距相关,定义为200nm。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:另外要求满足要求一的版图图形层间距平行长度大于100nm。
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