[发明专利]一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺在审
申请号: | 201811476404.2 | 申请日: | 2018-12-03 |
公开(公告)号: | CN109585583A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 皇韶峰 | 申请(专利权)人: | 江苏中宇光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 221699 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 预清洗 太阳能电池片 干燥处理 制绒工艺 制绒 混酸溶液 制绒液 腐蚀 水槽 体积百分比 质量百分比 硅片表面 氢氧化钠 制绒硅片 酸腐蚀 新工艺 制绒槽 放入 添加剂 生产 清洗 取出 | ||
本发明公开了一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,包括以下步骤:S1、初反应:将硅片放入HNO3和HF的混酸溶液中进行腐蚀,腐蚀时间在240s时,将硅片从混酸溶液中取出,再对酸腐蚀后的硅片进行水洗,干燥处理;S2、预清洗:对硅片表面进行预清洗,然后对预清洗后的硅片进行水洗,干燥处理;S3、制绒:将预清洗后的硅片经过盛有纯水的水槽清洗时间为240s后,置于盛有制绒液的制绒槽内,在该制绒液中氢氧化钠的质量百分比浓度为1.0%—1.5%,无醇添加剂的体积百分比浓度为0.2%—1.4%,然后对制绒后的硅片进行水洗,干燥处理。该用于太阳能电池片生产的制绒工艺,利用新工艺对硅片进行制绒,多次操作,从而获得高质量的制绒硅片。
技术领域
本发明属于制绒工艺技术领域,具体涉及一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺。
背景技术
太阳能是人类取之不尽、用之不竭的可再生能源,也是清洁能源,不产生任何环境污染。近年来,太阳能被人类广泛应用,尤其在光伏发电方面,发展迅速,通过太阳能电池片可以将太阳能转换为电能。太阳能电池片的生产制造工艺较为复杂,其中制绒工艺是在硅片表面形成金字塔结构,降低光在硅片表面的反射,并提高硅片对光的吸收,进而增加太阳能电池的光电转化效率。在制绒过程中,传统的制绒是直接一步到位,利用酸液和碱液进行反应从而在硅片表面获得坑凹状表面,但是此种工艺对于硅片的处理过于粗糙,很容易导致制绒效果不好,影响硅片质量。
因此针对这一现状,迫切需要设计和生产一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,以满足实际使用的需要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,包括以下步骤:
S1、初反应:将硅片放入HNO3和HF的混酸溶液中进行腐蚀,腐蚀时间在240s时,将硅片从混酸溶液中取出,再对酸腐蚀后的硅片进行水洗,干燥处理;
S2、预清洗:对硅片表面进行预清洗,然后对预清洗后的硅片进行水洗,干燥处理;
S3、制绒:将预清洗后的硅片经过盛有纯水的水槽清洗时间为240s后,置于盛有制绒液的制绒槽内,在该制绒液中氢氧化钠的质量百分比浓度为1.0%—1.5%,无醇添加剂的体积百分比浓度为0.2%—1.4%,然后对制绒后的硅片进行水洗,干燥处理;
S4、后清洗:对制绒后的硅片进行清洗,然后对后清洗的硅片进行水洗,干燥处理;
S5、酸洗:将得到的硅片再经过酸洗,具体是第一步用体积百分比浓度为10.5%~10.9%的HF酸清洗,时间240s,第二步用纯水清洗,时间为180s,第三步用体积百分比浓度为10.5%~10.9%的盐酸清洗,时间为180s,第四步用体积百分比浓度为10.5%~10.9%的盐酸清洗,时间为120ss,然后用水清洗干净,最后进行干燥,进入下一流程。
优选的,所述预清洗是用质量百分比浓度为0.18%~0.22%的氢氧化钠和体积百分比浓度为2-5%的双氧水混合溶液清洗硅片表面,对硅片表面进行预处理240s,处理完的硅片再次使用质量百分比浓度为0.15%~0.25%的氢氧化钠溶液处理240s。
优选的,所述制绒的过程中对于156*156单晶硅片,补加用量为:固体氢氧化钠180g/200片,无醇添加剂80mL/200片;对于125*125单晶硅片,补加用量为固体氢氧化钠150g/200片,无醇添加剂60mL/200片。
优选的,所述后清洗的过程中是将制绒后的硅片依次经过快排槽、水槽清洗时间为240s、体积百分比浓度为10.7%的HF酸槽清洗时间为240s,最后水槽清洗时间为240s,从而充分清洗硅片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的