[发明专利]一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺在审
申请号: | 201811476404.2 | 申请日: | 2018-12-03 |
公开(公告)号: | CN109585583A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 皇韶峰 | 申请(专利权)人: | 江苏中宇光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 221699 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 预清洗 太阳能电池片 干燥处理 制绒工艺 制绒 混酸溶液 制绒液 腐蚀 水槽 体积百分比 质量百分比 硅片表面 氢氧化钠 制绒硅片 酸腐蚀 新工艺 制绒槽 放入 添加剂 生产 清洗 取出 | ||
1.一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1、初反应:将硅片放入HNO3和HF的混酸溶液中进行腐蚀,腐蚀时间在240s时,将硅片从混酸溶液中取出,再对酸腐蚀后的硅片进行水洗,干燥处理;
S2、预清洗:对硅片表面进行预清洗,然后对预清洗后的硅片进行水洗,干燥处理;
S3、制绒:将预清洗后的硅片经过盛有纯水的水槽清洗时间为240s后,置于盛有制绒液的制绒槽内,在该制绒液中氢氧化钠的质量百分比浓度为1.0%—1.5%,无醇添加剂的体积百分比浓度为0.2%—1.4%,然后对制绒后的硅片进行水洗,干燥处理;
S4、后清洗:对制绒后的硅片进行清洗,然后对后清洗的硅片进行水洗,干燥处理;
S5、酸洗:将得到的硅片再经过酸洗,具体是第一步用体积百分比浓度为10.5%~10.9%的HF酸清洗,时间240s,第二步用纯水清洗,时间为180s,第三步用体积百分比浓度为10.5%~10.9%的盐酸清洗,时间为180s,第四步用体积百分比浓度为10.5%~10.9%的盐酸清洗,时间为120ss,然后用水清洗干净,最后进行干燥,进入下一流程。
2.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,其特征在于:所述预清洗是用质量百分比浓度为0.18%~0.22%的氢氧化钠和体积百分比浓度为2-5%的双氧水混合溶液清洗硅片表面,对硅片表面进行预处理240s,处理完的硅片再次使用质量百分比浓度为0.15%~0.25%的氢氧化钠溶液处理240s。
3.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,其特征在于:所述制绒的过程中对于156*156单晶硅片,补加用量为:固体氢氧化钠180g/200片,无醇添加剂80mL/200片;对于125*125单晶硅片,补加用量为固体氢氧化钠150g/200片,无醇添加剂60mL/200片。
4.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,其特征在于:所述后清洗的过程中是将制绒后的硅片依次经过快排槽、水槽清洗时间为240s、体积百分比浓度为10.7%的HF酸槽清洗时间为240s,最后清水240s,从而充分清洗硅片。
5.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,其特征在于:所述制绒过程中,制绒深度设置为2.8微米,制绒时间为1020s~1080s,制绒温度为80℃~85℃。
6.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,其特征在于:所述HNO3和HF混酸溶液中HNO3与HF的体积比在3:1~5:1之间。
7.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,其特征在于:所述硅片为多晶硅片、单晶硅片和准单晶硅片中的任意一种。
8.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,其特征在于:所述干燥的温度为90~120℃,干燥时间为500~550s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的