[发明专利]一种显示装置在审
申请号: | 201811475602.7 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN109378338A | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 朱娜娜;李灏;罗志忠;吴泰必 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
地址: | 065000 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 基板 有机发光材料 像素区域 阻隔块 使用寿命 像素间隔 正投影 投影区域 显示光 阳极层 阴极层 入射 摄入 激发 覆盖 配合 | ||
本发明提供了一种显示装置,包括:基板;设置在所述基板一侧的阴极层,用于与阳极层配合激发像素区域的有机发光材料产生显示光;以及,阻隔块,其中,所述阻隔块在所述基板上的正投影被像素间隔区域在所述基板上的正投影覆盖。通过设置与像素间隔区域在基板正投影区域对应的阻隔块,阻断或改变UV光入射路径减少像素区域的UV光摄入量,有效保护显示装置的像素区域的有机发光材料,延长有机发光材料的使用寿命,提高显示装置的使用寿命。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二级管)显示装置的显示发光层中的有机发光材料长时间受UV(ultraviolet,紫外线)光照射,会出现有机发光材料的断链的情况,导致显示发光层出现局部黑点和暗斑,从而降低OLED器件的使用寿命。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例致力于提供一种显示装置,能够有效隔绝UV 光进入显示发光层,延长显示装置使用寿命。
根据本发明的一方面,本发明一实施例提供了一种显示装置,包括:基板,设置在所述基板一侧的阴极层,用于与阳极层配合激发像素区域的有机发光材料产生显示光;以及,阻隔块,其中,所述阻隔块在所述基板上的正投影被像素间隔区域在所述基板上的正投影覆盖。
在一个实施例中,所述阻隔块是采用导电材料制成,所述阻隔块与所述阴极层电连接。
在一个实施例中,所述阴极层和/或所述阻隔块的材质包括以下几种中的一种:银、镁、铝以及锂、钙、碘中的至少一种与银、镁、铝中的一种掺杂的合金。
在一个实施例中,所述阻隔块的材料与所述阴极层的材质相同。
在一个实施例中,所述阴极层的厚度为10nm-30nm;和/或,所述阻隔块的厚度为70nm-120nm。
在一个实施例中,所述显示装置还包括:紫外线阻隔层。
在一个实施例中,所述阻隔块贴合设置在所述阴极层的表面,所述紫外线阻隔层覆盖所述阴极层和所述阻隔块的表面。
在一个实施例中,所述紫外线阻隔层包括交替层叠的二氧化硅与二氧化铪。
在一个实施例中,所述紫外线阻隔层的厚度为800nm-1200nm。
在一个实施例中,所述紫外线阻隔层包括:沿所述显示发光方向层叠的第一二氧化硅层、第一二氧化铪层、第二二氧化硅层以及第二二氧化铪层;其中,所述第一二氧化硅层的厚度范围为200-350nm,所述第二二氧化硅层的厚度范围为300-400nm,所述第一二氧化铪层厚度范围为25-100nm,所述第二二氧化铪层厚度范围为30-100nm。
本发明实施例提供一种显示装置,通过设置与像素间隔区域在基板正投影区域对应的阻隔块,可有效阻断或改变UV光入射路径以减少像素区域的 UV光摄入量,有效保护显示装置的像素区域的有机发光材料,延长有机发光材料的使用寿命,从而提高显示装置的使用寿命。
附图说明
图1所示为根据本发明一个实施例的显示装置的结构示意性。
图2所示为根据本发明一个实施例的显示装置的结构示意性。
图3所示为根据本发明一个实施例的显示装置的结构示意性。
图4所示为根据本发明一个实施例的显示装置的结构示意性。
图5所示为根据本发明一个实施例的显示装置的结构示意图。
图6所示为根据本发明一个实施例的紫外线阻隔层的具体结构示意图。
图7a所示为根据本发明一个实施例的显示装置的结构示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云谷(固安)科技有限公司,未经云谷(固安)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811475602.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的