[发明专利]一种显示装置在审
| 申请号： | 201811475602.7 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109378338A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 朱娜娜;李灏;罗志忠;吴泰必 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 065000 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 基板 有机发光材料 像素区域 阻隔块 使用寿命 像素间隔 正投影 投影区域 显示光 阳极层 阴极层 入射 摄入 激发 覆盖 配合 | ||
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板；
设置在所述基板一侧的阴极层，以及，
阻隔块，其中，所述阻隔块在所述基板上的正投影被像素间隔区域在所述基板上的正投影覆盖；所述显示装置还包括：紫外线阻隔层；
其中，所述阴极层、所述紫外线阻隔层以及所述阻隔块沿着所述显示装置的显示发光方向依次层叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述阻隔块的材质包括以下几种中的一种：银、镁、铝以及锂、钙、碘中的至少一种与银、镁、铝中的一种掺杂的合金。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述阻隔块的材料与所述阴极层的材质相同。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述阻隔块的厚度为70nm-120nm。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述紫外线阻隔层包括交替层叠的二氧化硅与二氧化铪。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述紫外线阻隔层的厚度为800nm-1200nm。
7.根据权利要求6所述的显示装置，所述紫外线阻隔层包括：沿所述显示发光方向层叠的第一二氧化硅层、第一二氧化铪层、第二二氧化硅层以及第二二氧化铪层；
其中，所述第一二氧化硅层的厚度范围为200-350nm，所述第二二氧化硅层的厚度范围为300-400nm，所述第一二氧化铪层厚度范围为25-100nm，所述第二二氧化铪层厚度范围为30-100nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
