[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一基板，其中所述基板包括多个像素；以及

一光准直层，设置于所述基板上；

其中所述光准直层包括：

一透明连接特征，设置于所述基板之上；

多个透明柱体，设置于所述透明连接特征之上，其中所述透明柱体覆盖所述像素且所述透明连接特征连接所述透明柱体，其中所述透明柱体及所述透明连接特征由一第一材料所形成且所述第一材料包括一透明材料；以及

多个第一遮光特征，设置于所述透明连接特征上，其中所述透明柱体之一的一顶表面与所述第一遮光特征之一的一顶表面齐平。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一遮光特征直接接触所述透明连接特征的一顶表面。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述透明柱体之一的一高度与所述第一遮光特征之一的一高度相等。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一遮光特征未覆盖所述像素。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述透明连接特征的一厚度与所述透明柱体之一的一高度的比值大于0且小于或等于10。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述透明柱体之一具有一顶部宽度以及一底部宽度，其中所述顶部宽度小于所述底部宽度。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述顶部宽度与所述底部宽度的比值为0.1至0.99。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一遮光特征由光阻、油墨、模制化合物或防焊材料中的一种或多种所形成。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一遮光特征与所述透明柱体交错设置于所述透明连接特征之上。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述光准直层更包括：

多个第二遮光特征，设置于所述基板之上，其中所述透明连接特征位于所述第一遮光特征以及所述第二遮光特征之间。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述第一遮光特征与所述第二遮光特征未覆盖所述像素。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述透明柱体之一的一高度与所述像素之一的一宽度的比值为5至50。

13.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基板，其中所述基板包括多个像素；

形成一光准直层于所述基板之上；

其中形成所述光准直层于所述基板之上的步骤包括：

将一第一材料设置于所述基板上，其中所述第一材料包括一透明材料；

图案化所述第一材料以于所述基板上形成一透明连接特征及多个透明柱体，其中所述透明连接特征位于所述透明柱体与所述基板之间；以及

形成多个第一遮光特征于所述透明连接特征之上，其中所述透明柱体之一的一顶表面与所述第一遮光特征之一的一顶表面齐平。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，形成所述第一遮光特征于所述透明连接特征之上的步骤包括：

将一遮光材料设置于所述透明连接特征之上；以及

进行一平坦化工艺平坦化所述遮光材料。

15.根据权利要求14所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述平坦化工艺包括一化学机械研磨工艺。