[发明专利]天线封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种天线封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；

于所述分离层上形成重新布线层，所述重新布线层包括与所述分离层相接触的第一面及相对的第二面；

于所述重新布线层的第二面上形成第一金属连接柱，所述第一金属连接柱与所述重新布线层电连接；

采用第一封装层覆盖所述第一金属连接柱及所述重新布线层的第二面，且所述第一封装层的顶面显露所述第一金属连接柱；

于所述第一封装层表面形成第一天线金属层，所述第一天线金属层与所述第一金属连接柱电连接，所述第一天线金属层包括天线金属互联层及天线金属主体层；

于所述天线金属互联层上形成第二金属连接柱；

采用第二封装层覆盖所述第二金属连接柱及所述第一天线金属层，且所述第二封装层的顶面显露所述第二金属连接柱；

于所述第二封装层表面形成第二天线金属层，所述第二天线金属层与所述第二金属连接柱电连接，且所述第二天线金属层在所述第一封装层上的投影显露所述天线金属主体层；

去除位于所述天线金属主体层上方及两侧的所述第二封装层，以形成将整个所述天线金属主体层显露出的空腔；

去除所述分离层与所述支撑基底；

于所述重新布线层的第一面上形成金属凸块；以及

提供半导体芯片，将所述半导体芯片接合于所述重新布线层的第一面上。

2.根据权利要求1所述的天线封装方法，其特征在于：所述重新布线层的第二面上包括N层天线结构，其中N≥3。

3.根据权利要求1所述的天线封装方法，其特征在于：形成所述第一金属连接柱及第二金属连接柱的方法包括焊线、电镀及化学镀中的一种或组合。

4.根据权利要求1所述的天线封装方法，其特征在于：形成所述空腔的方法包括激光法及干法刻蚀法中的一种或组合。

5.根据权利要求1所述的天线封装方法，其特征在于：所述分离层包括LTHC光热转换层，去除所述分离层与所述支撑基底的方法包括激光加热法。

6.根据权利要求1所述的天线封装方法，其特征在于：还包括于所述半导体芯片与所述重新布线层的第一面之间填充底部填充层的步骤，所述底部填充层包括环氧树脂层。

7.根据权利要求1所述的天线封装方法，其特征在于：所述支撑基底包括玻璃基底、金属基底、半导体基底、聚合物基底及陶瓷基底中的一种。

8.根据权利要求1所述的天线封装方法，其特征在于：所述重新布线层包括介质层及金属布线层，所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃及含氟玻璃中的一种或两种以上组合；所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银及钛中的一种或两种以上组合。

9.根据权利要求1所述的天线封装方法，其特征在于：所述第一金属连接柱及第二金属连接柱包括金线、银线、铜线及铝线中的一种或组合；所述第一金属连接柱及第二金属连接柱还包括金柱、银柱、铜柱及铝柱中的一种或组合。

10.根据权利要求1所述的天线封装方法，其特征在于：所述第一封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶及环氧树脂中的一种或组合；所述第二封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶及环氧树脂中的一种或组合。

11.根据权利要求1所述的天线封装方法，其特征在于：所述金属凸块的材料包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。