[发明专利]晶圆翘曲程度的监控方法

说明书

本发明提出的一种晶圆翘曲程度的监控方法，包括：首先，在衬底上形成的第一膜层上形成图案化的光刻胶层并刻蚀所述第一膜层得到图案化的第一膜层；然后，对所述图案化的光刻胶层或者所述图案化的第一膜层进行量测，得到基准数据；接着，形成第二膜层并对所述第二膜层进行量测，得到检验数据；最后将所述检验数据与所述基准数据进行比较，监控晶圆的翘曲程度，利用所述图案化的光刻胶层或者图案化的第一膜层获取基准数据，提前了获取基准数据的时间，提高了工作效率，并且保证了发现晶圆翘曲问题的及时性和可靠性，减少了晶圆的返工率。进一步的，获取第二膜层的检验数据后不必再进行冗余的工艺步骤，避免了晶圆表面的二次污染，提高了产品的良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶圆翘曲程度的监控方法。

背景技术

半导体制造工艺中，高温成膜制程工艺会应用在晶圆表面，目前在高温成膜制程后，一般只会量测成膜的厚度，但是，高温往往会使晶圆翘曲，并且晶圆翘曲程度难以在线监控。

目前的监控高温成膜制程工艺对晶圆翘曲程度影响的方法在工艺步骤上比较繁琐和复杂，工作效率比较低下，并且不能及时发现高温对晶圆表面影响的问题，甚至对半导体结构上形成的膜层表面造成二次污染。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆翘曲程度的监控方法，以解决现有技术对晶圆表面造成翘曲却难以得到及时监控的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆翘曲程度的监控方法，包括：

在衬底上形成第一膜层，并在所述第一膜层上形成图案化的光刻胶层；

刻蚀所述第一膜层以在所述第一膜层中形成沟槽，得到图案化的第一膜层；

对所述图案化的光刻胶层或者所述图案化的第一膜层进行量测，得到第一组对准数据，作为基准数据；

去除所述图案化的光刻胶层；

形成第二膜层，所述第二膜层覆盖所述图案化的第一膜层的上表面、所述沟槽的底壁及所述沟槽的侧壁；

对所述第二膜层进行量测，得到第二组对准数据，作为检验数据；

将所述检验数据与所述基准数据进行比较，监控晶圆的翘曲程度。

可选的，在所述晶圆翘曲程度的监控方法中，刻蚀所述第一膜层采用的是干法刻蚀工艺。

可选的，在所述晶圆翘曲程度的监控方法中，所述第一膜层的材质为单晶硅或者二氧化硅。

可选的，在所述晶圆翘曲程度的监控方法中，使用套刻对准机台对所述图案化的第一膜层和所述第二膜层进行量测。

可选的，在所述晶圆翘曲程度的监控方法中，使用高温成膜制程工艺形成第二膜层，所述高温成膜制程工艺的温度大于1000℃。

可选的，在所述晶圆翘曲程度的监控方法中，所述第二膜层覆盖于所述第一膜层的上表面的部分的厚度为100～300埃。

可选的，在所述晶圆翘曲程度的监控方法中，所述第二膜层的材质为二氧化硅。

可选的，在所述晶圆翘曲程度的监控方法中，所述检验数据与所述基准数据的比较包括差值比较和量测结果矢量图比较。

可选的，在所述晶圆翘曲程度的监控方法中，在形成图案化的光刻胶层之前，还包括利用机械化学研磨工艺平坦化所述第一膜层的表面。